[发明专利]可配置存储器阵列无效

专利信息
申请号: 201280010159.0 申请日: 2012-02-27
公开(公告)号: CN103403806A 公开(公告)日: 2013-11-20
发明(设计)人: 金正丕;哈里·M·拉奥;朱晓春;李霞;升·H·康 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: G11C11/16 分类号: G11C11/16
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 宋献涛
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 配置 存储器 阵列
【权利要求书】:

1.一种存储器阵列,其包括:

安置成列的多个位线和多个源极线;

安置成行的多个字线;

多个存储元件,所述多个存储元件具有从所述存储器阵列电解耦的存储元件的第一子集和耦合到所述存储器阵列的存储元件的第二子集;以及

多个位单元,每一位单元包含耦合到至少两个晶体管的来自存储元件的所述第二子集的一个存储元件,其中所述多个位单元耦合到所述多个位线和所述多个源极线,且其中每一晶体管耦合到一个字线。

2.根据权利要求1所述的存储器阵列,其进一步包括:

经配置以将至少两个字线选择性地耦合到共同字线的逻辑,且

其中所述至少两个晶体管中的每一者耦合到所述至少两个字线中的一者。

3.根据权利要求2所述的存储器阵列,其中所述至少两个晶体管耦合到一个源极线。

4.根据权利要求2所述的存储器阵列,其中所述逻辑包括:

多路复用器,其具有耦合到所述共同字线的输入和耦合到所述至少两个字线中的第一字线的输出;以及

缓冲器,其具有耦合到所述共同字线的输入和耦合到所述至少两个字线中的第二字线的输出。

5.根据权利要求1所述的存储器阵列,其中存储元件的所述第一子集的存储元件与所述多个位线之间的电连接切断。

6.根据权利要求1所述的存储器阵列,其进一步包括:

金属线和/或通孔,其经配置以将所述存储器阵列从高密度配置变换到高性能配置。

7.根据权利要求1所述的存储器阵列,其中所述多个存储元件是非易失性存储元件。

8.根据权利要求7所述的存储器阵列,其中所述多个存储元件是磁性隧道结MTJ存储元件。

9.根据权利要求1所述的存储器阵列,其中所述存储器阵列集成在至少一个半导体裸片中。

10.根据权利要求1所述的存储器阵列,其进一步包括选自由机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、通信装置、个人数字助理PDA、固定位置数据单元和计算机组成的群组的装置,所述存储器阵列集成到所述装置中。

11.根据权利要求1所述的存储器阵列,其进一步包括:

用以分别将邻近列的至少两个位线和至少两个源极线选择性地耦合到共同位线和共同源极线的逻辑。

12.根据权利要求11所述的存储器阵列,其中所述至少两个晶体管耦合到一个字线,且每一晶体管耦合到所述至少两个源极线中的一者。

13.根据权利要求11所述的存储器阵列,其中所述逻辑进一步经配置以激活所述至少两个源极线中的仅一者。

14.一种测试存储器阵列的方法,其包括:

选择高性能模式;

依据单一字线控制信号激活第一字线和第二字线,其中所述第一字线耦合到第一晶体管且所述第二字线耦合到第二晶体管,每一晶体管耦合到存储元件;以及

选择耦合到位单元的位线和源极线,所述位单元包含所述存储元件以及所述第一晶体管和所述第二晶体管。

15.根据权利要求14所述的方法,其中选择所述高性能模式包括:

选择多路复用器的第一输入,其中所述第一输入耦合到所述单一字线控制信号,且所述多路复用器的输出耦合到所述第一字线。

16.根据权利要求15所述的方法,其进一步包括:

经由耦合到所述第二字线的缓冲器缓冲所述单一字线控制信号以平衡所述多路复用器的延迟。

17.根据权利要求14所述的方法,其进一步包括:

选择高密度模式;

将所述第一字线从所述单一字线控制信号解耦;

使用所述单一字线控制信号激活所述第二字线;以及

选择耦合到所述位单元的所述位线和所述源极线,所述位单元包含所述存储元件以及所述第一晶体管和所述第二晶体管。

18.根据权利要求14所述的方法,其中所述位单元进一步包括从所述存储器阵列电解耦的第二存储元件。

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