[发明专利]晶片级发光二极管封装件及制造此的方法有效
| 申请号： | 201280006927.5 | 申请日： | 2012-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN103339749A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 徐大雄;李贞勋 | 申请（专利权）人： | 首尔OPTO仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/36;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;金玉兰 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开晶片级发光二极管封装件及制造此的方法。该方法包括：在第一基板上形成多个半导体层叠结构体；准备第二基板，该第二基板具有对应于所述多个半导体层叠结构体而排列的第一电极和第二电极；将所述多个半导体层叠结构体结合到所述第二基板；在进行所述结合之后，将所述第一基板及所述第二基板分割为多个封装件。据此，提供晶片级发光二极管封装件。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 发光二极管 封装 制造 方法 | ||
【主权项】：
发光二极管封装件制造方法，其中，包括：在第一基板上形成多个半导体层叠结构体，且各个所述半导体层叠结构体包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及夹设于所述第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的活性区域；准备第二基板，该第二基板具有对应于所述多个半导体层叠结构体而排列的第一电极和第二电极；将所述多个半导体层叠结构体结合到所述第二基板；在进行所述结合之后，将所述第一基板及所述第二基板分割为多个封装件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于首尔OPTO仪器股份有限公司，未经首尔OPTO仪器股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280006927.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
