[发明专利]晶片级发光二极管封装件及制造此的方法

权利要求书

1.发光二极管封装件制造方法，其中，包括：

在第一基板上形成多个半导体层叠结构体，且各个所述半导体层叠结构体包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及夹设于所述第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的活性区域；

准备第二基板，该第二基板具有对应于所述多个半导体层叠结构体而排列的第一电极和第二电极；

将所述多个半导体层叠结构体结合到所述第二基板；

在进行所述结合之后，将所述第一基板及所述第二基板分割为多个封装件。

2.如权利要求1所述的发光二极管封装件制造方法，其中，还包括在各个所述半导体层叠结构体的第一导电型半导体层及第二导电型半导体层上分别形成第一凸点及第二凸点，

通过将所述第一凸点及第二凸点键合到所述第一电极及第二电极，从而所述多个半导体层叠结构体结合于所述第一电极。

3.如权利要求2所述的发光二极管封装件制造方法，其中，还包括形成覆盖所述多个半导体层叠结构体的底部填充胶，所述第一凸点及第二凸点贯穿所述底部填充胶。

4.如权利要求3所述的发光二极管封装件制造方法，其中，所述底部填充胶包括荧光体和填充剂中的至少一个。

5.如权利要求3所述的发光二极管封装件制造方法，其中，形成所述底部填充胶包括：

在所述第一基板上形成覆盖所述多个半导体层叠结构体的半固化底部填充胶；

在将所述第一凸点及第二凸点键合到所述第一电极及第二电极期间，使所述半固化底部填充胶固化。

6.如权利要求3所述的发光二极管封装件制造方法，其中，在进行所述结合之后，还包括形成覆盖所述第一基板的后表面的波长变换器。

7.如权利要求6所述的发光二极管封装件制造方法，其中，所述波长变换器在分割所述第一基板之后形成为覆盖所述第一基板的侧面。

8.如权利要求7所述的发光二极管封装件制造方法，其中，在分割所述第一基板之后，还包括对分割区域下方的所述底部填充胶的一部分进行部分去除，

所述波长变换器形成为覆盖所述底部填充胶被部分去除而暴露的侧面。

9.如权利要求8所述的发光二极管封装件制造方法，其中，还包括形成覆盖所述波长变换器的水分阻挡涂层。

10.如权利要求9所述的发光二极管封装件制造方法，其中，所述水分阻挡涂层形成为使所述波长变换器埋设于封装件内。

11.如权利要求1所述的发光二极管封装件制造方法，其中，在进行所述结合之后，还包括形成覆盖所述第一基板的后表面的波长变换器。

12.如权利要求11所述的发光二极管封装件制造方法，其中，所述波长变换器为含有荧光体的玻璃。

13.如权利要求12所述的发光二极管封装件制造方法，其中，所述玻璃通过低温直接键合而粘贴于所述基板上。

14.如权利要求11所述的发光二极管封装件制造方法，其中，还包括形成覆盖所述波长变换器的水分阻挡涂层。

15.如权利要求14所述的发光二极管封装件制造方法，其中，所述水分阻挡涂层通过交替地层叠有机材料层和无机材料层而形成。

16.如权利要求11所述的发光二极管封装件制造方法，其中，所述波长变换器在分割所述第一基板之后形成。

17.如权利要求16所述的发光二极管封装件制造方法，其中，所述波长变换器填充所述多个半导体层叠结构体与所述第二基板之间的空间。

18.如权利要求17所述的发光二极管封装件制造方法，其中，还包括：

去除所述第一基板的分割区域下方的所述波长变换器，并按照封装件为单位分割波长变换器；

形成覆盖被分割的波长变换器的水分阻挡涂层。

19.如权利要求1所述的发光二极管封装件制造方法，其中，还包括：在所述第一基板的后表面形成用于提高光提取效率的表面织构。

20.如权利要求1所述的发光二极管封装件制造方法，其中，在分割所述第一基板时，分割成使所述第一基板的侧面相对于所述第一基板的后表面的垂直方向倾斜。