[发明专利]无需使用CMP工艺去除SOI衬底上硬掩模的结构和方法有效
申请号: | 201280005006.7 | 申请日: | 2012-01-17 |
公开(公告)号: | CN103299424A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 权五正 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/3065;H01L21/312 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 酆迅;张宁 |
地址: | 美国纽*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的实施例涉及无需使用CMP工艺去除SOI衬底上硬掩模的结构和方法。在无需使用化学机械抛光(CMP)工艺的情况下从SOI衬底去除硬掩模材料。在深沟槽反应离子刻蚀(RIE)工艺之后,在硬掩模材料上沉积阻挡材料。去除硬掩模材料的顶部上的阻挡材料。使用选择湿法刻蚀工艺去除硬掩模材料。有效控制槽的凹陷深度。 | ||
搜索关键词: | 无需 使用 cmp 工艺 去除 soi 衬底 上硬掩模 结构 方法 | ||
【主权项】:
一种形成器件的方法,包括:提供具有顶部SOI层(130)、中间BOX层(120)以及底部衬底层(110)的绝缘体上半导体(SOI)衬底(105);在所述SOI衬底上沉积硬掩模层(150);在所述SOI衬底中形成沟槽(160),其中所述沟槽延伸进入所述衬底层;在所述硬掩模层的顶部表面上以及在所述沟槽的底部和侧壁上沉积阻挡层(170);去除所述阻挡层的、在所述硬掩模层之上以及在所述沟槽的底部上的部分;去除所述硬掩模层;去除所述阻挡层的在所述沟槽的侧壁上的剩余部分;沉积第一导电材料(200)以填充所述沟槽;平坦化所述第一导电材料;以及从所述沟槽中去除所述第一导电材料的一部分,其中所述第一导电材料(200’)的顶部表面在所述SOI层的底部表面之下并且在所述衬底层的顶部表面之上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的