[发明专利]用于高k/金属栅工艺流程的自对准接触有效
| 申请号： | 201280004545.9 | 申请日： | 2012-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN103299428A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | R·拉玛钱德兰;R·迪瓦卡鲁尼;李影 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构，包括具有位于半导体衬底的表面上的多个栅极堆叠14’的半导体衬底12。每个栅极堆叠从底部至顶部包括高k栅极电介质层42、功函数金属层44和导电金属46。间隔物22位于每个栅极堆叠的侧壁上，并且自对准电介质衬垫30存在于每个间隔物的上表面上。每个自对准电介质衬垫30的底表面存在于半导体金属合金28的上表面上。接触金属34位于相邻栅极堆叠之间并且通过自对准电介质衬垫30与每个栅极堆叠分隔开。结构也包括另一接触金属60，具有位于接触金属的上表面上并且与其直接接触的一部分以及位于一个栅极堆叠的导电金属上并且与其直接接触的另一部分。也公开了一种使用替换栅极和非替换栅极方案的形成半导体结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 金属 工艺流程 对准 接触 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：半导体衬底12，具有位于所述半导体衬底的表面上的多个栅极堆叠14’，其中每个栅极堆叠从底部至顶部包括高k栅极电介质层42、功函数金属层44和导电金属46；间隔物22，位于每个栅极堆叠的侧壁上；自对准电介质衬垫30，存在于每个间隔物的上表面上，其中每个自对准电介质衬垫30的底表面存在于半导体金属合金28的上表面上；接触金属34，位于相邻的栅极堆叠之间，所述接触金属通过至少所述自对准电介质衬垫而与每个图案化的栅极堆叠分开；以及另一接触金属60，具有位于所述接触金属34’的上表面上并且与其直接接触的第一部分以及位于一个所述栅极堆叠的导电金属上并且与其直接接触的第二部分。
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