[发明专利]用于高k/金属栅工艺流程的自对准接触

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

半导体衬底12，具有位于所述半导体衬底的表面上的多个栅极堆叠14’，其中每个栅极堆叠从底部至顶部包括高k栅极电介质层42、功函数金属层44和导电金属46；

间隔物22，位于每个栅极堆叠的侧壁上；

自对准电介质衬垫30，存在于每个间隔物的上表面上，其中每个自对准电介质衬垫30的底表面存在于半导体金属合金28的上表面上；

接触金属34，位于相邻的栅极堆叠之间，所述接触金属通过至少所述自对准电介质衬垫而与每个图案化的栅极堆叠分开；以及

另一接触金属60，具有位于所述接触金属34’的上表面上并且与其直接接触的第一部分以及位于一个所述栅极堆叠的导电金属上并且与其直接接触的第二部分。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述导电金属由单质金属、单质金属的合金或金属硅化物126构成。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述高k栅极电介质由HfO₂、ZrO₂、La₂O₃、Al₂O₃、TiO₂、SrTiO₃、LaAlO₃、Y₂O₃、HfO_xN_y、ZrO_xN_y、La₂O_xN_y、Al₂O_xN_y、TiO_xN_y、SrTiO_xN_y、LaAlO_xN_y、Y₂O_xN_y、其硅酸盐、或其合金构成，其中x的每个值独立地从0.5至3，并且y的每个值独立地从0至2。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述功函数金属44包括硅价带边缘金属。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述功函数金属44包括硅导带边缘金属。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述自对准电介质衬垫由电介质常数大于氧化硅的高k电介质材料构成。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其中所述高k电介质材料由HfO₂、ZrO₂、La₂O₃、Al₂O₃、TiO₂、SrTiO₃、LaAlO₃、Y₂O₃、HfO_xN_y、ZrO_xN_y、La₂O_xN_y、Al₂O_xN_y、TiO_xN_y、SrTiO_xN_y、LaAlO_xN_y、Y₂O_xN_y、其硅酸盐、或其合金构成，其中x的每个值独立地从0.5至3，并且y的每个值独立地从0至2。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述栅极电介质层和所述功函数金属层44是U形的。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，进一步包括位于毗邻每个栅极堆叠的平坦化的电介质材料32。

10.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述接触金属由W、Al、Cu或其合金构成。

11.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述另一接触金属由W、Al、Cu或其合金构成。