[发明专利]导电性膜形成用银合金溅射靶及其制造方法有效
| 申请号： | 201280003192.0 | 申请日： | 2012-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN103298970A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 小见山昌三;船木真一;小池慎也;奥田圣 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B21B3/00;C22C5/06;H01L51/50;H05B33/10;H05B33/26 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 齐葵;周艳玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种导电性膜形成用银合金溅射靶及其制造方法，本发明的溅射靶的一种形态具有包含0.1～1.5质量%的In且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成的成分组成，并且合金晶粒的平均粒径在30μm以上且小于150μm，所述晶粒的粒径的偏差在平均粒径的20%以下。本发明的溅射靶的制造方法的一种形态为在具有所述成分组成的熔炼铸锭上依次实施热轧工序、冷却工序及机械加工工序，在所述热轧工序中，以每1道次的压下率为20～50%、应变速度为3～15/sec、及道次后的温度为400～650℃的条件进行1道次以上的精热轧，在所述冷却工序中，以200～1000℃/min的冷却速度进行淬冷。 | ||
| 搜索关键词： | 导电性 形成 合金 溅射 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种导电性膜形成用银合金溅射靶，其特征在于，具有包含0.1～1.5质量%的In且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成的成分组成，合金晶粒的平均粒径在30μm以上且小于150μm，所述晶粒的粒径的偏差在平均粒径的20%以下。
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