[发明专利]导电性膜形成用银合金溅射靶及其制造方法

权利要求书

1.一种导电性膜形成用银合金溅射靶，其特征在于，

具有包含0.1～1.5质量%的In且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成的成分组成，

合金晶粒的平均粒径在30μm以上且小于150μm，所述晶粒的粒径的偏差在平均粒径的20%以下。

2.一种导电性膜形成用银合金溅射靶，其特征在于，

具有含有合计为0.1～1.5质量%的In及Sn且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成的成分组成，

合金晶粒的平均粒径在30μm以上且小于150μm，所述晶粒的粒径的偏差在平均粒径的20%以下。

3.一种导电性膜形成用银合金溅射靶，其特征在于，

具有包含0.1～1.5质量%的In并进一步含有合计为0.1～2.5质量%的Sb、Ga中任意一种或两种且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成的成分组成，

合金晶粒的平均粒径在30μm以上且小于150μm，所述晶粒的粒径的偏差在平均粒径的20%以下。

4.一种导电性膜形成用银合金溅射靶，其特征在于，

具有含有合计为0.1～1.5质量%的In及Sn并进一步含有合计为0.1～2.5质量%的Sb、Ga中任意一种或两种且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成的成分组成，

合金晶粒的平均粒径在30μm以上且小于150μm，所述晶粒的粒径的偏差在平均粒径的20%以下。

5.如权利要求1～4中任一项所述的导电性膜形成用银合金溅射靶，其特征在于，

所述晶粒的平均粒径小于120μm。

6.一种导电性膜形成用银合金溅射靶的制造方法，其特征在于，

在具有包含0.1～1.5质量%的In且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成的成分组成的熔炼铸锭上，通过依次实施热轧工序、冷却工序及机械加工工序来制造银合金溅射靶，

在所述热轧工序中，以每1道次的压下率为20～50%、应变速度为3～15/sec、及道次后的温度为400～650℃的条件进行1道次以上的精热轧，

在所述冷却工序中，以200～1000℃/min的冷却速度进行淬冷。

7.一种导电性膜形成用银合金溅射靶的制造方法，其特征在于，

在具有含有合计为0.1～1.5质量%的In及Sn且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成的成分组成的熔炼铸锭上，通过依次实施热轧工序、冷却工序及机械加工工序来制造银合金溅射靶，

在所述热轧工序中，以每1道次的压下率为20～50%、应变速度为3～15/sec、及道次后的温度为400～650℃的条件进行1道次以上的精热轧，

在所述冷却工序中，以200～1000℃/min的冷却速度进行淬冷。

8.一种导电性膜形成用银合金溅射靶的制造方法，其特征在于，

在具有包含0.1～1.5质量%的In并进一步含有合计为0.1～2.5质量%的Sb、Ga中任意一种或两种且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成的成分组成的熔炼铸锭上，通过依次实施热轧工序、冷却工序及机械加工工序来制造银合金溅射靶，

在所述热轧工序中，以每1道次的压下率为20～50%、应变速度为3～15/sec、及道次后的温度为400～650℃的条件进行1道次以上的精热轧，

在所述冷却工序中，以200～1000℃/min的冷却速度进行淬冷。

9.一种导电性膜形成用银合金溅射靶的制造方法，其特征在于，

在具有含有合计为0.1～1.5质量%的In及Sn并进一步含有合计为0.1～2.5质量%的Sb、Ga中任意一种或两种且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成的成分组成的熔炼铸锭上，通过依次实施热轧工序、冷却工序及机械加工工序来制造银合金溅射靶，

在所述热轧工序中，以每1道次的压下率为20～50%、应变速度为3～15/sec、及道次后的温度为400～650℃的条件进行1道次以上的精热轧，

在所述冷却工序中，以200～1000℃/min的冷却速度进行淬冷。