[发明专利]导电性膜形成用银合金溅射靶及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于形成有机EL元件的反射电极或触控面板的配线膜等导电性膜的银合金溅射靶及其制造方法。

本申请基于2012年1月10日在日本申请的专利申请第2012-002072号主张优先权，其内容援用于此。

背景技术

在有机EL元件中，在形成于有机EL发光层两侧的阳极与阴极之间施加电压，分别从阳极和阴极将空穴和电子注入于有机EL膜。并且在有机EL发光层，当空穴和电子结合时发光。有机EL元件为使用该发光原理的发光元件，作为显示设备用发光元件，近年来受到广泛关注。该有机EL元件的驱动方式中存在无源矩阵方式和有源矩阵方式。该有源矩阵方式能够通过在1个像素上设置1个以上的薄膜晶体管来进行高速转换。因此，有源矩阵方式为有利于高对比度、高清晰度且能够发挥有机EL元件特征的驱动方式。

并且，在光的提取方式中存在从透明基板侧提取光的底部发光方式和从基板的相反侧提取光的顶部发光方式，且开口率较高的顶部发光方式有利于高亮度。

为了更有效地反射由有机EL层发光的光，优选该顶部发光结构中的反射电极膜为高反射率且耐蚀性较高。并且，作为电极还优选低电阻电极。作为这种材料已知有Ag合金及Al合金，但为了得到更高亮度的有机EL元件，从可见光反射率较高方面看Ag合金为优异。其中，对有机EL元件的反射电极膜的形成采用溅射法且使用银合金靶（专利文献1）。

但是，随着有机EL元件制造时的玻璃基板的大型化，在反射电极膜的形成中使用的银合金靶也将使用大型靶。其中，当向大型靶投入较大的功率进行溅射时，产生根据靶的异常放电产生的被称为“喷溅”的现象。若产生该现象，则熔融的微粒子附着于基板上而使配线或电极间短路。由此，存在有机EL元件的成品率下降之类的问题。顶部发光方式的有机EL元件的反射电极层为了成为有机发光层的基底层而被要求更高的平坦度且需要进一步抑制喷溅。

为了解决这样的课题，在专利文献2及专利文献3中提出有随着靶的大型化，即使向靶投入大功率也能够抑制喷溅的有机EL元件的反射电极膜形成用银合金靶及其制造方法。

通过这些专利文献2及专利文献3中记载的反射电极膜形成用银合金靶，即使投入大功率也能够抑制喷溅。但是，在大型的银合金靶中，随着靶的消耗，电弧放电次数增加，并有基于电弧放电的喷溅增加的倾向，要求进一步改善。

并且，除有机EL元件用反射电极膜之外，在触控面板的引出配线等导电性膜中也对银合金膜的使用进行了研究。作为这种配线膜，若例如使用纯Ag，则产生迁移而容易发生短路故障。因此，对银合金膜的采用进行了研究。

专利文献1：国际公开第2002/077317号

专利文献2：日本特开2011-100719号公报

专利文献3：日本特开2011-162876号公报

发明内容

本发明是鉴于这种情况下完成的，其目的在于提供一种能够进一步抑制电弧放电及喷溅的导电性膜形成用银合金溅射靶及其制造方法。

本发明者们经过深入研究的结果获得了如下见解：为了抑制随着靶的消耗的电弧放电次数的增加，将晶粒以平均粒径小于150μm进一步微细化并将其偏差控制在平均粒径的20%以下为有效。

根据该研究结果，本发明的导电性膜形成用银合金溅射靶的第1形态具有包含0.1～1.5质量%的In且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成的成分组成，合金晶粒的平均粒径在30μm以上且小于150μm，所述晶粒的粒径的偏差在平均粒径的20%以下。

In固溶于Ag而抑制靶的晶粒成长且在晶粒的微细化上有效果。In提高靶的硬度，因此抑制机械加工时的翘曲。In使由溅射形成的膜的耐蚀性及耐热性提高。若In含量小于0.1质量%，则无法得到上述效果，若In含量超过1.5质量%，则膜的反射率或电阻下降。

以下示出将平均粒径设为30μm以上且小于150μm的理由。小于30μm的平均粒径不具现实性且导致制造成本的增加。并且，若平均粒径在150μm以上，则溅射时随着靶的消耗，异常放电增加的倾向显著。

若平均粒径的偏差超过20%，则溅射时随着靶的消耗，异常放电增加的倾向显著。

本发明的导电性膜形成用银合金溅射靶的第2形态具有含有合计为0.1～1.5质量%的In及Sn且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成的成分组成，并且合金晶粒的平均粒径为30μm以上且小于150μm，所述晶粒的粒径的偏差在平均粒径的20%以下。