[发明专利]红外发光元件的制造方法有效
| 申请号： | 201280001514.8 | 申请日： | 2012-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN102934241A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 相良晓彦;平岩美央里;柴田聪 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/34 | 分类号： | H01L33/34;C09K11/00;C09K11/59 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有1.57μm的波长的红外发光元件的制造方法，其中，在含有C的Si基板上形成SiO2膜，在含氧的气氛中进行RTA处理，或者，在注入杂质离子后在含氧的气氛中实施RTA处理，由此形成C中心。 | ||
| 搜索关键词： | 红外 发光 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种红外发光元件的制造方法，其中，具有如下工序：(a)准备含有1×1015cm‑3以上、2×1018cm‑3以下的C的Si基板的工序；(b)在所述Si基板表面形成SiO2膜的工序；(c)将形成有所述SiO2膜的所述Si基板、在含氧气氛中进行RTA处理的工序。
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