[发明专利]红外发光元件的制造方法有效
| 申请号： | 201280001514.8 | 申请日： | 2012-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN102934241A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 相良晓彦;平岩美央里;柴田聪 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/34 | 分类号： | H01L33/34;C09K11/00;C09K11/59 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 红外 发光 元件 制造 方法 | ||
1.一种红外发光元件的制造方法，其中，具有如下工序：
(a)准备含有1×1015cm-3以上、2×1018cm-3以下的C的Si基板的工序；
(b)在所述Si基板表面形成SiO2膜的工序；
(c)将形成有所述SiO2膜的所述Si基板、在含氧气氛中进行RTA处理的工序。
2.一种红外发光元件的制造方法，其中，具有如下工序：
(a)准备含有1×1015cm-3以上，2×1018cm-3以下的C的Si基板的工序；
(b)在所述Si基板上形成SiO2膜的工序；
(d)对于形成有所述SiO2膜的所述Si基板进行离子注入的工序；
(c)将所述离子注入进行后的所述Si基板、在含氧气氛中进行RTA处理的工序。
3.根据权利要求1或2所述的红外发光元件的制造方法，其特征在于，所述RTA处理的升温速度为40℃/sec以上、900℃/sec。
4.根据权利要求1或2所述的红外发光元件的制造方法，其特征在于，所述RTA处理在1000℃以上、1200℃以下进行。
5.根据权利要求1或2所述的红外发光元件的制造方法，其特征在于，以1秒以上、1分钟以内进行所述RTA处理。
6.根据权利要求1或2所述的红外发光元件的制造方法，其特征在于，在含氧气氛中进行所述RTA处理。
7.根据权利要求2所述的红外发光元件的制造方法，其特征在于，所述离子注入的离子种类为As。
8.根据权利要求2所述的红外发光元件的制造方法，其特征在于，以150keV的能量进行所述离子注入。
9.根据权利要求2所述的红外发光元件的制造方法，其特征在于，所述离子注入量为8×1013cm-3以下。
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