[发明专利]碳化硅衬底无效
| 申请号： | 201280001235.1 | 申请日： | 2012-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN102869817A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 井上博挥;原田真;堀勉;藤原伸介 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B33/06 | 分类号： | C30B33/06;C30B29/36;H01L21/02;H01L21/20;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 第一单晶衬底（11）具有第一侧表面且由碳化硅构成。第二单晶衬底（12）具有与第一侧表面相对的第二侧表面且由碳化硅构成。接合部（BD），在第一和第二侧表面之间，使第一和第二侧表面彼此连接且由碳化硅构成。接合部的至少一部分具有多晶结构。因此，可以提供一种能够以高产量制造半导体器件的大尺寸碳化硅衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 衬底 | ||
【主权项】：
一种碳化硅衬底（80），包括：第一单晶衬底（11），所述第一单晶衬底（11）具有第一侧表面（S 1）并且由碳化硅构成；第二单晶衬底（12），所述第二单晶衬底（12）具有与所述第一侧表面相对的第二侧表面（S2）并且由碳化硅构成；以及接合部（BD），所述接合部（BD）在所述第一和第二侧表面之间将所述第一和第二侧表面彼此连接并且由碳化硅构成，所述接合部的至少一部分具有多晶结构。
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