[发明专利]碳化硅衬底无效
| 申请号: | 201280001235.1 | 申请日: | 2012-02-15 |
| 公开(公告)号: | CN102869817A | 公开(公告)日: | 2013-01-09 |
| 发明(设计)人: | 井上博挥;原田真;堀勉;藤原伸介 | 申请(专利权)人: | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号: | C30B33/06 | 分类号: | C30B33/06;C30B29/36;H01L21/02;H01L21/20;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/78 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 李兰;孙志湧 |
| 地址: | 日本大阪*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 碳化硅 衬底 | ||
1.一种碳化硅衬底(80),包括:
第一单晶衬底(11),所述第一单晶衬底(11)具有第一侧表面(S 1)并且由碳化硅构成;
第二单晶衬底(12),所述第二单晶衬底(12)具有与所述第一侧表面相对的第二侧表面(S2)并且由碳化硅构成;以及
接合部(BD),所述接合部(BD)在所述第一和第二侧表面之间将所述第一和第二侧表面彼此连接并且由碳化硅构成,所述接合部的至少一部分具有多晶结构。
2.根据权利要求1所述的碳化硅衬底,其中
所述第一和第二单晶衬底分别具有第一和第二背表面(B1,B2),并且
所述碳化硅衬底进一步包括支撑部分(30),所述支撑部分(30)接合到所述第一和第二背表面中的每一个。
3.根据权利要求1所述的碳化硅衬底,其中
所述第一和第二单晶衬底分别具有第一和第二前表面(F1,F2),并且
所述接合部形成为在平面图中在所述第一和第二前表面之间直线延伸,并且所述接合部的具有多晶结构的部分在直线延伸的方向上的长度不小于所述接合部的整体长度的1%且不大于所述接合部的整体长度的100%。
4.根据权利要求3所述的碳化硅衬底,其中
所述接合部的具有多晶结构的部分在所述直线延伸的方向上的长度不小于所述接合部的整体长度的10%。
5.根据权利要求1所述的碳化硅衬底,其中
所述碳化硅衬底在平面图中的最大长度(D)相对于所述碳化硅衬底的厚度(T)的比率不低于50且不高于500。
6.根据权利要求1所述的碳化硅衬底,其中
所述碳化硅衬底在平面图中的最大长度(D)不小于100mm。
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