[实用新型]一种圆片级LED封装结构

摘要

本实用新型涉及一种圆片级LED封装结构，属于半导体封装技术领域。其包括LED芯片（100）、带有硅基型腔（210）的硅本体（200）、绝缘层（211）、金属反射层（212）、设置在硅本体（200）上方的玻璃（300）和设置在硅基型腔（210）下方的若干个硅通孔（220），所述LED芯片（100）通过左导电电极（601）和右导电电极（602）倒装在硅基型腔（210）内，所述硅通孔（220）的侧壁和硅本体（200）的下表面设置绝缘保护层（221）和金属线路层（222），所述金属线路层（222）于N电极（101）和P电极（102）的交界的下方断开，所述线路表面保护层（223）露出金属线路层（222）的两侧。本实用新型提供了一种热阻低、散热性能好、提升出光效率和发光均匀性的圆片级LED封装结构。

主权项

一种圆片级LED封装结构，包括LED芯片（100）、带有硅基型腔（210）的硅本体（200）、设置在硅基型腔（210）内及硅本体（200）上表面的绝缘层（211）、选择性地覆盖于绝缘层（211）上的金属反射层（212）和设置在硅本体（200）上方的玻璃（300），所述玻璃（300）下表面设置光致发光层（400），所述金属反射层（212）在硅基型腔（210）底部形成金属反射层开口（213），硅基型腔（210）的下方设置若干个硅通孔（220），所述LED芯片（100）的正面设置N电极（101）和P电极（102），所述硅基型腔（210）内充满胶类填充物（500），其特征在于：还包括设置在金属反射层开口（213）内的左导电电极（601）和右导电电极（602），所述LED芯片（100）通过相对应的左导电电极（601）和右导电电极（602）倒装在硅基型腔（210）内的金属反射层开口（213）内，所述硅通孔（220）的顶部分别为左导电电极（601）和右导电电极（602）的下表面，所述硅通孔（220）的侧壁和硅本体（200）的下表面选择性地设置绝缘保护层（221），所述绝缘保护层（221）上和硅通孔（220）顶部设置金属线路层（222），所述金属线路层（222）于N电极（101）和P电极（102）的交界的下方断开，所述金属线路层（222）上选择性地设置线路表面保护层（223），并设有线路表面保护层开口（224）。