[实用新型]一种圆片级LED封装结构

权利要求书

1.一种圆片级LED封装结构，包括LED芯片（100）、带有硅基型腔（210）的硅本体（200）、设置在硅基型腔（210）内及硅本体（200）上表面的绝缘层（211）、选择性地覆盖于绝缘层（211）上的金属反射层（212）和设置在硅本体（200）上方的玻璃（300），所述玻璃（300）下表面设置光致发光层（400），所述金属反射层（212）在硅基型腔（210）底部形成金属反射层开口（213），硅基型腔（210）的下方设置若干个硅通孔（220），所述LED芯片（100）的正面设置N电极（101）和P电极（102），所述硅基型腔（210）内充满胶类填充物（500），

其特征在于：还包括设置在金属反射层开口（213）内的左导电电极（601）和右导电电极（602），所述LED芯片（100）通过相对应的左导电电极（601）和右导电电极（602）倒装在硅基型腔（210）内的金属反射层开口（213）内，所述硅通孔（220）的顶部分别为左导电电极（601）和右导电电极（602）的下表面，所述硅通孔（220）的侧壁和硅本体（200）的下表面选择性地设置绝缘保护层（221），所述绝缘保护层（221）上和硅通孔（220）顶部设置金属线路层（222），所述金属线路层（222）于N电极（101）和P电极（102）的交界的下方断开，所述金属线路层（222）上选择性地设置线路表面保护层（223），并设有线路表面保护层开口（224）。

2.根据权利要求1所述的一种圆片级LED芯片封装结构，其特征在于：所述左导电电极（601）和右导电电极（602）呈块状或柱状，左导电电极（601）与N电极（101）连接，右导电电极（602）与P电极（102）连接。

3.根据权利要求1或2所述的一种圆片级LED芯片封装结构，其特征在于：所述左导电电极（601）和右导电电极（602）与金属反射层（212）不接触。

4.根据权利要求1所述的一种圆片级LED芯片封装结构，其特征在于：所述LED芯片（100）的个数为一个或一个以上。

5.根据权利要求1所述的一种圆片级LED芯片封装结构，其特征在于：所述硅通孔（220）的形状为直孔、梯形孔或倒Y形孔。

6.根据权利要求1或5所述的一种圆片级LED芯片封装结构，其特征在于：所述硅通孔（220）成面阵排布。

7.根据权利要求1所述的一种圆片级LED芯片封装结构，其特征在于：所述玻璃（300）的形状为平面形、半球形或方凸形。

8.根据权利要求1所述的一种圆片级LED芯片封装结构，其特征在于：所述金属线路层（222）为单层或多层金属。

9.根据权利要求1所述的一种圆片级LED芯片封装结构，其特征在于：所述线路表面保护层（223）覆盖所有硅通孔（220）及其外围空间，所述线路表面保护层开口（224）露出金属线路层（222）的两侧。

10.根据权利要求1所述的一种圆片级LED芯片封装结构，其特征在于：所述硅基型腔（210）的深度大于LED芯片（100）的厚度。