[实用新型]一种圆片级LED封装结构有效

申请号：	201220731769.7	申请日：	2012-12-27
公开（公告）号：	CN203071136U	公开（公告）日：	2013-07-17
发明（设计）人：	谢晔;张黎;陈栋;赖志明;陈锦辉	申请（专利权）人：	江阴长电先进封装有限公司
主分类号：	H01L33/64	分类号：	H01L33/64;H01L33/62
代理公司：	南京经纬专利商标代理有限公司 32200	代理人：	楼然
地址：	214429 江苏省无锡市江***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	一种圆片级 led 封装结构
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【说明书】：

技术领域

本实用新型涉及一种圆片级LED封装结构，属于半导体封装技术领域。

背景技术

半导体照明行业是未来的新型产业，LED照明更是未来照明的主宰，在过去的国际大环境下，资源的紧张、环境的恶劣，从而影响了人们的居住生活环境；节能减排已成为各国重中之重急需解决的问题，故各国都采取措施，将LED照明列为未来照明的核心，通过政府的扶持、补贴来带动LED照明市场的迅猛发展，中国从2009年开展的十城万盏示范城市，到今年的城市亮化工程及今年11月出台了，在2016年10月逐步全面淘汰白炽灯的措施，都可看出LED在未来照明中的核心位置。

目前，市场上所售的品牌LED照明灯标出的使用寿命在2万到3万小时，远低于其理论的使用寿命，而且它的电光转换效率也会随点亮时间很快降低，其中主要原因在于LED的芯片很小，但通电后发热量很大，内部热量难以很快的扩散出去，内部P/N结结温过高所致，所以需要靠封装来帮助其散热。目前所售LED的封装几乎都是采用引线键合的方式实现，该方式的不足在于，引线会在发光时产生阴影，影响发光均匀性。

发明内容

本实用新型的目的在于克服当前封装结构的不足，提供一种热阻低、散热性能好、提升出光效率和发光均匀性的圆片级LED封装结构。

本实用新型的目的是这样实现的：一种圆片级LED封装结构，包括LED芯片、带有硅基型腔的硅本体、设置在硅基型腔内及硅本体上表面的绝缘层、选择性地覆盖于绝缘层上的金属反射层和设置在硅本体上方的玻璃，所述玻璃下表面设置光致发光层，所述金属反射层在硅基型腔底部形成金属反射层开口，硅基型腔下方设置若干个硅通孔，所述LED芯片的正面设置N电极和P电极，所述硅基型腔内充满胶类填充物。

一种圆片级LED封装结构还包括设置在金属反射层开口内的左导电电极和右导电电极，所述LED芯片通过相对应的左导电电极和右导电电极倒装在硅基型腔内的金属反射层开口内，所述硅通孔的顶部分别为左导电电极和右导电电极的下表面，所述硅通孔的侧壁和硅本体的下表面选择性地设置绝缘保护层，所述绝缘保护层上和硅通孔顶部设置金属线路层，所述金属线路层于N电极和P电极的交界的下方断开，所述金属线路层上选择性地设置线路表面保护层，并设有线路表面保护层开口。

所述左导电电极和右导电电极呈块状或柱状，左导电电极与N电极连接，右导电电极与P电极连接。

所述左导电电极和右导电电极与金属反射层不接触。

所述LED芯片的个数为一个或一个以上。

所述硅通孔的形状为直孔、梯形孔或倒Y形孔。

所述硅通孔成面阵排布。

所述玻璃的形状为平面形、半球形或方凸形。

所述金属线路层为单层或多层金属。

所述线路表面保护层覆盖所有硅通孔及其外围空间，所述线路表面保护层开口露出金属线路层的两侧。

所述硅基型腔的深度大于LED芯片厚度。

本实用新型的有益效果是：

本实用新型的LED芯片的N电极和P电极分别通过左导电电极和右导电电极倒装在硅基型腔内，与左导电电极和右导电电极相通的硅通孔内填充金属线路层，将LED芯片的信息导至封装结构的背面，同时消除引线阴影，提升LED封装结构的发光均匀性；硅通孔采用面阵排布，增大了散热面积、增多了散热通道，降低了LED整体封装的热阻，提升了LED芯片的散热速度，有助于LED芯片的发光效率的提高和产品的性能的提升。

附图说明

图1为本实用新型一种圆片级LED封装结构的示意图。

图中：

LED芯片100

N电极101

P电极102

硅本体200

硅基型腔210

绝缘层211

金属反射层212

金属反射层开口213

硅通孔220