[实用新型]存储设备的保护电路有效
| 申请号： | 201220721099.0 | 申请日： | 2012-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN203179554U | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 管华军;陈文华;刘建忠 | 申请（专利权）人： | 联芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 卢刚 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及电子器件，公开了一种存储设备的保护电路。本实用新型中，比较器的第一输入端与存储设备的电源电压相连，第二输入端输入由参考电压生成模块生成一个参考电压。比较器比较两个输入端的电压大小，在第一输入端电压大于第二输入端电压时，控制与存储设备的WP管脚相连的输出端，输出高电平；在第一输入端电压小于或等于第二输入端电压时，控制输出端输出低电平。使得在NAND FLASH电源电压低于门限值时，通过比较器立刻将WP信号拉低，实现规避NAND FLASH电源电压不稳时的误操作，破坏NAND FLASH内数据。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 设备 保护 电路 | ||
【主权项】：
一种存储设备的保护电路，其特征在于，包含：比较器和参考电压生成模块；其中，所述比较器的输出端与存储设备的写保护信号WP管脚相连；所述比较器的第一输入端与所述存储设备的电源电压相连；所述比较器的第二输入端与所述参考电压生成模块相连，该参考电压生成模块将生成的参考电压输入到所述第二输入端；其中，所述生成的参考电压小于所述存储设备正常工作时的电源电压；所述比较器在所述第一输入端的电压大于所述第二输入端的电压时，控制所述输出端输出高电平；在所述第一输入端的电压小于或等于所述第二输入端的电压时，控制所述输出端输出低电平。
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