[实用新型]存储设备的保护电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子器件，特别涉及电子器件中的存储设备。 

背景技术

目前的手持产品，广泛使用NAND FLASH（采用NAND非易失闪存技术的闪存）作为掉电不丢失的存储设备。NAND FLASH上有写保护信号（WP）管脚，在WP管脚为低有效时，不能对NAND FLASH进行写操作。 

目前，手持产品的传统WP保护电路图有如图1和如图2两种方式： 

在图1所示的方式中，PMIC（电源管理集成电路）的系统复位信号RST管脚与WP管脚相连，即写保护信号是利用的PMIC的系统复位信号RST来实现。系统异常掉电时，PMIC检测到输入电压VBAT低于门限值，会将复位信号拉低，从而使得WP信号被拉低保护。 

在图2所示的方式中，直接把nandwp保护信号做在控制器（NFC）内，由控制器发出保护信号，将nandwp信号拉低，达到保护的目的。 

然而，在如图1所示的保护方案中，PMIC的RST拉低具有一定下降时间，通常为几百个微秒，这就可能导致NAND FLASH的VCC（电源电压）已经处于不稳定状态，而RST信号还没有下降到NAND FLASH的WP保护信号低电平判决门限以下，从而不能有效保护NAND FLASH的写过程。 

在如图2所示的保护方案中，因WP信号是由CPU内NAND控制器（NFC）产生，当CPU的VCC异常时，由该VCC供电的NAND控制器本身也可能异常，从而导致WP信号异常，从而无法达到保护的作用。 

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种存储设备的保护电路，使得WP信号在该存储设备的电源电压低于某一门限值Vth时，立刻被可靠拉低，从而解决了电压不稳时，误写操作损坏NAND FLASH内数据的问题。 

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种存储设备的保护电路，包含：比较器和参考电压生成模块； 

其中，所述比较器的输出端与存储设备的写保护信号WP管脚相连； 

所述比较器的第一输入端与所述存储设备的电源电压相连； 

所述比较器的第二输入端与所述参考电压生成模块相连，该参考电压生成模块将生成的参考电压输入到所述第二输入端；其中，所述生成的参考电压小于所述存储设备正常工作时的电源电压； 

所述比较器在所述第一输入端的电压大于所述第二输入端的电压时，控制所述输出端输出高电平；在所述第一输入端的电压小于或等于所述第二输入端的电压时，控制所述输出端输出低电平。 

本实用新型实施方式相对于现有技术而言，比较器的第一输入端与存储设备的电源电压相连，第二输入端输入由参考电压生成模块生成一个参考电压。比较器比较两个输入端的电压大小，在第一输入端电压大于第二输入端电压时，控制与存储设备的WP管脚相连的输出端，输出高电平；在第一输入端电压小于或等于第二输入端电压时，控制输出端输出低电平。由于第二输入端的电压由参考电压生成模块提供，而非直接由PMIC的LDO（低压差线性稳压器）管脚提供，因此，在系统异常掉电时（LDO管脚提供的电压V1迅速跌落至参考电压之下），仍能通过比较器的正常工作，及时将存储设备（如NAND FLASH）的WP管脚拉低，从而起到对NAND FLASH的写保 护。即在NAND FLASH电源电压低于门限值（生成的参考电压）时，通过比较器立刻将WP信号拉低，实现规避NAND FLASH电源电压不稳时的误操作，破坏NAND FLASH内数据。 

另外，参考电压生成模块包含：第一电容、第一电阻和第二电阻。其中，第一电阻的一端接所述参考电压生成模块的电源电压，另一端接所述第二电阻的一端，所述第二电阻的另一端接地；所述参考电压生成模块的电源电压经所述第一电阻和第二电阻分压后生成参考电压，输入到所述比较器的第二输入端；所述第一电容的一端接地，另一端与所述比较器的第二输入端相连。实现简单，由于第一电容的作用，可保证参考电压生成模块在掉电后的一段时间内仍能继续工作，为比较器输出稳定的参考电压。 

另外，第一电阻和第二电阻均为可调电阻，使得参考电压生成模块可通过调整R1、R2的分压比例，调整生成的参考电压。 

另外，该存储设备的保护电路还包含第二电容，该第二电容的一端接地，另一端与所述比较器的电源电压相连。进一步保证了比较器在系统掉电后的的一段时间内仍能继续工作。 

附图说明

图1是根据现有技术中的一种传统WP保护电路示意图； 

图2是根据现有技术中的另一种传统WP保护电路示意图； 

图3是根据本实用新型第一实施方式的存储设备的保护电路结构示意图；