[实用新型]存储设备的保护电路

权利要求书

1.一种存储设备的保护电路，其特征在于，包含：比较器和参考电压生成模块；

其中，所述比较器的输出端与存储设备的写保护信号WP管脚相连；

所述比较器的第一输入端与所述存储设备的电源电压相连；

所述比较器的第二输入端与所述参考电压生成模块相连，该参考电压生成模块将生成的参考电压输入到所述第二输入端；其中，所述生成的参考电压小于所述存储设备正常工作时的电源电压；

所述比较器在所述第一输入端的电压大于所述第二输入端的电压时，控制所述输出端输出高电平；在所述第一输入端的电压小于或等于所述第二输入端的电压时，控制所述输出端输出低电平。

2.根据权利要求1所述的存储设备的保护电路，其特征在于，所述参考电压生成模块包含：第一电容、第一电阻和第二电阻；

所述第一电阻的一端接所述参考电压生成模块的电源电压，另一端接所述第二电阻的一端，所述第二电阻的另一端接地；

所述参考电压生成模块的电源电压经所述第一电阻和第二电阻分压后生成参考电压，输入到所述比较器的第二输入端；

所述第一电容的一端接地，另一端与所述比较器的第二输入端相连。

3.根据权利要求2所述的存储设备的保护电路，其特征在于，

所述第一电阻和第二电阻均为可调电阻。

4.根据权利要求1所述的存储设备的保护电路，其特征在于，还包含：第二电容；

所述第二电容的一端接地，另一端与所述比较器的电源电压相连。

5.根据权利要求2所述的存储设备的保护电路，其特征在于，

所述参考电压生成模块和所述存储设备的电源电压为同一电压。

6.根据权利要求2所述的存储设备的保护电路，其特征在于，

所述第一电阻的阻值范围为100K欧姆至1M欧姆；

所述第二电阻的阻值范围为100K欧姆至1M欧姆。

7.根据权利要求2所述的存储设备的保护电路，其特征在于，

所述第一电容的电容量取值范围为4uF至5uF。

8.根据权利要求4所述的存储设备的保护电路，其特征在于，

所述比较器和所述存储设备的电源电压为同一电压。

9.根据权利要求4所述的存储设备的保护电路，其特征在于，

所述第二电容的电容量取值范围为4uF至5uF。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的存储设备的保护电路，其特征在于，还包含第三电阻；

所述第三电阻的一端接所述存储设备的电源电压，另一端接所述存储设备的WP管脚；

在所述比较器只能输出低电平的情况下，通过所述第三电阻的上拉作用，等效所述比较器在所述第一输入端的电压大于所述第二输入端的电压时，控制所述输出端输出高电平。

11.根据权利要求1至9中任一项所述的存储设备的保护电路，其特征在于，

所述存储设备的电源电压由电源管理集成电路PMIC的低压差线性稳压器LDO管脚提供。