[实用新型]像素单元、薄膜晶体管阵列基板及液晶显示器有效
| 申请号： | 201220610216.6 | 申请日： | 2012-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN202870440U | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 申莹;涂志中;孙荣阁 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及液晶显示技术领域，特别涉及一种像素单元、TFT阵列基板及液晶显示器，用于减轻液晶显示器在显示画面时的色差，改善液晶显示器的显示画面品质。本实用新型公开了一种像素单元，包括：具有同层设置且相互绝缘的主动区像素电极和被动区像素电极，与所述主动区像素电极电连接的薄膜晶体管TFT开关，以及与主动区像素电极异层设置且电连接的耦合电极，且耦合电极与被动区像素电极具有形成耦合电容的交叠区域。本实用新型同时还公开一种TFT阵列基板，包括具有上述技术特征的像素单元；本实用新型同时还公开一种ADS模式液晶显示器，包括具有上述技术特征的TFT阵列基板。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 单元 薄膜晶体管 阵列 液晶显示器 | ||
【主权项】：
一种像素单元，其特征在于，包括：具有同层设置且相互绝缘的主动区像素电极和被动区像素电极，与所述主动区像素电极电连接的薄膜晶体管开关，以及与所述主动区像素电极异层设置且电连接的耦合电极，且所述耦合电极与所述被动区像素电极具有形成耦合电容的交叠区域。
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