[实用新型]像素单元、薄膜晶体管阵列基板及液晶显示器

说明书

技术领域

本实用新型涉及液晶显示技术领域，特别涉及一种像素单元、薄膜晶体管阵列基板及液晶显示器。 

背景技术

目前，高级超维场转换（Advanced super Dimension Switch，以下简称ADS）模式液晶显示器因具备广视角、高穿透率、低色差等优点而得到广泛的应用。ADS模式液晶显示器是同一平面内狭缝电极边缘产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层之间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内的狭缝电极间以及狭缝电极正上方所有取向液晶分子都产生旋转，从而提高液晶工作效率并增大透光效率。 

其中，ADS模式液晶显示器中的薄膜晶体管（Thin Film Transistor，以下简称TFT）阵列基板一般包括：衬底基板，以及在衬底基板上呈阵列状分布的像素单元；其中，如图1所示，每一个像素单元包括：分别与衬底基板上栅线10和数据线20电连接到的TFT，通过过孔60与TFT的源极50电连接的像素电极30；具体地，像素电极30为具有一定倾斜角度的狭缝电极。TFT阵列基板还包括与像素电极形成电场的公共电极，像素电极30与公共电极之间形成的电场强度的变化控制着液晶分子的偏转程度。 

ADS模式液晶显示器在工作时，液晶分子在电压驱动下旋转；不过，每一个像素单元内的液晶分子只有一种偏转角度，在不同的观察视角下，由于液晶的各向异性，ADS模式液晶显示器的亮度存在差异，即液晶显示器在显示画面时存在色差，影响液晶显示器的显示画面品质。因此，如何减轻ADS模式液晶显示器在显示画面时的色差，改善ADS模式液晶显示器的显示画面品 质成为本领域技术人员需要解决的问题。 

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种像素单元、TFT阵列基板及液晶显示器，用于减轻液晶显示器在显示画面时的色差，改善液晶显示器的显示画面品质。 

为了实现上述技术方案，本实用新型提供以下技术方案： 

一种像素单元，包括：具有同层设置且相互绝缘的主动区像素电极和被动区像素电极，与所述主动区像素电极电连接的TFT开关，以及与所述主动区像素电极异层设置且电连接的耦合电极，且所述耦合电极与所述被动区像素电极具有形成耦合电容的交叠区域。 

优选地，在上述像素单元中，所述主动区像素电极和所述被动区像素电极分别为一组对称分布的狭缝电极。 

优选地，在上述像素单元中，所述狭缝电极的延伸方向与液晶初始取向方向的夹角为5°~20°。 

优选地，在上述像素单元中，所述狭缝电极的长度方向与液晶初始取向方向的夹角为70°~85°。 

较佳地，在上述像素单元中，所述主动区像素电极的电极图形和所述被动区像素电极的电极图形的面积比为1:1~1:9。 

本实用新型同时还提供了一种TFT阵列基板，包括： 

衬底基板； 

以及在所述衬底基板上呈阵列状分布，具有上述技术特征的像素单元。 

优选地，在上述TFT阵列基板中，所述像素单元中的耦合电极与所述衬底基板上的栅线或数据线同层设置。 

本实用新型同时还提供了一种液晶显示器，包括具有上述技术特征的TFT阵列基板。 

在本实用新型提供的像素单元中，包括：具有同层设置且相互绝缘的主动区像素电极和被动区像素电极，与所述主动区像素电极电连接的TFT开关，以及与主动区像素电极异层设置且电连接的耦合电极，且耦合电极与被动区像素电极具有形成耦合电容的交叠区域。也就是说，像素单元中的像素电极包括同层设置的主动区像素电极和被动区像素电极，以及与像素电极异层设置的耦合电极；其中，主动区像素电极和被动区像素电极电学断开；与耦合电极电连接，耦合电极与被动区像素电极具有交叠的区域。 

采用具有上述像素单元的TFT阵列基板的液晶显示器在工作时，当像素单元所在位置的栅线打开时，数据电压通过数据线与TFT充入主动区像素电极，主动区像素电极所对应的液晶分子受到电压驱动而偏转；被动区像素电极所对应的液晶分子的驱动电压由耦合电极与被动区像素电极产生的耦合电容提供，因被动区像素电极的电压由耦合电容提供，相对于施加在主动区像素电极上的电压具有一定的时间延迟，因此，每个像素单元所述对应的液晶分子具有两种偏转角度，在不同视角观察下，由于液晶取向的平均化效果，使液晶显示器的亮度差异减小，因此，与现有技术相比，减轻液晶显示器在显示画面时的色差，改善液晶显示器的显示画面品质。 

附图说明

图1为现有技术中一种像素单元的结构示意图；