[实用新型]像素单元、薄膜晶体管阵列基板及液晶显示器有效
申请号: | 201220610216.6 | 申请日: | 2012-11-16 |
公开(公告)号: | CN202870440U | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 申莹;涂志中;孙荣阁 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 单元 薄膜晶体管 阵列 液晶显示器 | ||
1.一种像素单元,其特征在于,包括:具有同层设置且相互绝缘的主动区像素电极和被动区像素电极,与所述主动区像素电极电连接的薄膜晶体管开关,以及与所述主动区像素电极异层设置且电连接的耦合电极,且所述耦合电极与所述被动区像素电极具有形成耦合电容的交叠区域。
2.如权利要求1所述的像素单元,其特征在于,所述主动区像素电极和所述被动区像素电极分别为一组对称分布的狭缝电极。
3.如权利要求2所述的像素单元,其特征在于,所述狭缝电极的方向与液晶初始取向方向的夹角为5°~20°。
4.如权利要求2所述的像素单元,其特征在于,所述狭缝电极的方向与液晶初始取向方向的夹角为70°~85°。
5.如权利要求1-4任一所述的像素单元,其特征在于,所述主动区像素电极的电极图形和所述被动区像素电极的电极图形的面积比为1∶1~1:9。
6.一种薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,包括:
衬底基板;
以及在所述衬底基板上呈阵列状分布,如权利要求1-5任一所述的像素单元。
7.如权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述像素单元中的耦合电极与所述衬底基板上的栅线或数据线同层设置。
8.一种液晶显示器,其特征在于,包括如权利要求6或7所述的薄膜晶体管阵列基板。
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