[实用新型]具有硅通孔结构的半导体器件有效
| 申请号： | 201220604325.7 | 申请日： | 2012-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN202977404U | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 孙蓉;张国平;赵松方 | 申请（专利权）人： | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种具有硅通孔结构的半导体器件，包括：硅衬底，开设有自硅衬底上表面穿入内部的硅通孔；绝缘层，覆盖于所述硅衬底上表面、硅通孔的侧壁及硅通孔的底面；所述硅通孔的顶端与硅衬底上表面交界的拐角处覆盖的绝缘层厚度，大于所述拐角旁的硅衬底上表面覆盖的绝缘层及硅通孔的侧壁覆盖的绝缘层厚度。本实用新型在硅通孔的顶端与硅衬底上表面交界的拐角处覆盖的绝缘层较厚，保证了此处绝缘层的保型覆盖性，且因为厚度足够，不会因器件使用中的热应力导致绝缘层开裂，因此增强了器件的可靠性，提高了产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 硅通孔 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种具有硅通孔结构的半导体器件，包括：硅衬底，开设有自硅衬底上表面穿入内部的硅通孔；绝缘层，覆盖于所述硅衬底上表面、硅通孔的侧壁及硅通孔的底面；其特征在于，所述硅通孔的顶端与硅衬底上表面交界的拐角处覆盖的绝缘层厚度，大于所述拐角旁的硅衬底上表面覆盖的绝缘层及硅通孔的侧壁覆盖的绝缘层厚度。
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