[实用新型]具有硅通孔结构的半导体器件有效
| 申请号： | 201220604325.7 | 申请日： | 2012-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN202977404U | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 孙蓉;张国平;赵松方 | 申请（专利权）人： | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 硅通孔 结构 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有硅通孔结构的半导体器件，包括：
硅衬底，开设有自硅衬底上表面穿入内部的硅通孔；
绝缘层，覆盖于所述硅衬底上表面、硅通孔的侧壁及硅通孔的底面；
其特征在于，所述硅通孔的顶端与硅衬底上表面交界的拐角处覆盖的绝缘层厚度，大于所述拐角旁的硅衬底上表面覆盖的绝缘层及硅通孔的侧壁覆盖的绝缘层厚度。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述拐角为圆角结构。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述圆角结构的半径为1至3微米。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述拐角包括内凹的圆槽结构。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述圆槽结构的半径为1至3微米。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述拐角是倒角结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院深圳先进技术研究院，未经中国科学院深圳先进技术研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201220604325.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体芯片封装结构
- 下一篇：一种用微波类管壳装配的晶体管的高温反偏夹具
