[实用新型]发光二极管有效
| 申请号： | 201220510308.7 | 申请日： | 2012-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN202839726U | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 孙谢阳;金峰 | 申请（专利权）人： | 西安华新联合科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/24 | 分类号： | H01L33/24 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 710119 陕西省西安市西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种发光二极管，其涉及发光二极管的设计和制造领域，用以提高发光二极管的良率和光取出效率。本实用新型提供的发光二极管包括：一基板；一缓冲层，位于所述基板上；一半导体复合层，位于该缓冲层上；其中，所述半导体复合层的下表面积大于所述缓冲层的上表面积，以露出部分所述半导体复合层的下表面。这样既不会影响到光源的发光量，又能够蚀刻掉部分缓冲层，从而能够提高发光二极管的良率和光取出效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，其特征在于，包括：一基板；一缓冲层，位于所述基板上；一半导体复合层，位于该缓冲层上；其中，所述半导体复合层的下表面积大于所述缓冲层的上表面积，以露出部分所述半导体复合层的下表面。
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