[实用新型]发光二极管有效
| 申请号： | 201220510308.7 | 申请日： | 2012-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN202839726U | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 孙谢阳;金峰 | 申请（专利权）人： | 西安华新联合科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/24 | 分类号： | H01L33/24 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 710119 陕西省西安市西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
一基板；
一缓冲层，位于所述基板上；
一半导体复合层，位于该缓冲层上；
其中，所述半导体复合层的下表面积大于所述缓冲层的上表面积，以露出部分所述半导体复合层的下表面。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述半导体复合层包括：
一第一半导体层，位于所述缓冲层上；
一发光层，位于所述第一半导体层上；以及
一第二半导体层，位于所述发光层上。
3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第一半导体层为一P型半导体层，所述第二半导体层为一N型半导体层。
4.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第一半导体层为一N型半导体层，所述第二半导体层为一P型半导体层。
5.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第一半导体层的下表面积大于所述缓冲层的上表面积，以露出部分所述第一半导体层的下表面。
6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括：一侧壁保护层，位于所述半导体复合层的侧壁上。
7.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，还包括：一侧壁保护层，位于所述第一半导体层的侧壁上。
8.根据权利要求6或7所述的发光二极管，其特征在于，所述侧壁保护层为单层或多层结构。
9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括：一透明导电层，位于所述半导体复合层上。
10.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，还包括：一透明导电层，位于所述第二半导体层上。
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