[实用新型]发光二极管

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种发光二极管，尤其涉及一种能够提高光取出效率的发光二极管。

背景技术

请参考图1-图4简要介绍一种发光二极管的制程。首先，如图1所示，在基板101上依序生长缓冲层102、半导体复合层103；其中，半导体复合层103包括：依序生长的N型GaN层、多量子阱(Multiple Quantum Well，MQW)层、以及P型GaN层。接着，如图2所示，图案化半导体复合层103，以在切割道区(S-S区域)和制作N电极区域露出N型GaN层。然后，如图3所示，沉积SiO₂层作为表面保护层104，之后利用雷射等工艺在切割道区(S-S区域)形成沟渠，该沟渠所占的区域可称为雷射切割区(P-P区域)。随后，如图4所示，利用侧壁蚀刻工艺，蚀刻掉部分缓冲层102。之后，去除剩余的表面保护层104，并制作透明导电层(Transparent Conductive Layer，TCL)以及N电极、P电极即可。

在上述发光二极管的制程中，由于采用侧壁蚀刻(Side Wall Etching)工艺，能够使得发光层发射出的部分光线在缓冲层102与空气的界面上折射出来，例如，图4中的光线a从MQW层发出后，若缓冲层102未经过侧壁蚀刻，则光线a就会沿着光线b的方向到达基板101，光线不会被导引出来，但若缓冲层102经侧壁蚀刻后，光线a会在缓冲层102与空气的界面处被折射成光线c而被导引出来；故而侧壁蚀刻工艺可以提高发光二极管的光取出效率。

但是，由于蚀刻过程难以控制，常常会有过度蚀刻的情况发生。从图4所示的过度蚀刻的示例可以看出，过度蚀刻不仅蚀刻掉了部分缓冲层102，还同时蚀刻掉N型GaN层、MQW层，甚至还会蚀刻掉P型GaN层。显然，过度蚀刻会造成光源变少，这样发光二极管的亮度不增反降，造成得不偿失的后果。综上所述，由于侧壁蚀刻的过程难于控制，会造成发光二极管的良率及光取出效率非常不稳定。

实用新型内容

本实用新型的实施例提供一种发光二极管，用以提高发光二极管的良率和光取出效率。

为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：

本实用新型提供了一种发光二极管，包括：一基板；一缓冲层，位于基板上；一半导体复合层，位于缓冲层上；其中，半导体复合层的下表面积大于缓冲层的上表面积，以露出部分半导体复合层的下表面。

根据上述构想，半导体复合层包括：一第一半导体层，位于缓冲层上；一发光层，位于第一半导体层上；以及一第二半导体层，位于发光层上。

根据上述构想，第一半导体层为一P型半导体层，第二半导体层为一N型半导体层。

根据上述构想，第一半导体层为一N型半导体层，第二半导体层为一P型半导体层。

根据上述构想，第一半导体层的下表面积大于缓冲层的上表面积，以露出部分第一半导体层的下表面。

根据上述构想，发光二极管还包括一侧壁保护层，位于半导体复合层的侧壁上。

根据上述构想，发光二极管还包括一侧壁保护层，位于第一半导体层的侧壁上。

根据上述构想，侧壁保护层为单层或多层结构。

根据上述构想，发光二极管还包括一透明导电层，位于半导体复合层上。

根据上述构想，发光二极管还包括一透明导电层，位于第二半导体层上。

本实用新型实施例提供的发光二极管，其半导体复合层的下表面积大于缓冲层的上表面积，以露出部分半导体复合层的下表面，要制成这种结构，就需要在侧壁蚀刻的过程中保护半导体复合层，以防止半导体复合层的过度蚀刻，这样既不会影响到光源的发光量，又能够蚀刻掉部分缓冲层，从而本实用新型能够提高发光二极管的良率和光取出效率。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1-图4为现有技术中发光二极管的制造过程中的截面示意图；

图5-14为实施例一中发光二极管的制造过程中的截面示意图；

图15-19为实施例二中发光二极管的制造过程中的截面示意图；

图20-26为实施例三中发光二极管的制造过程中的截面示意图。

附图标记：