[实用新型]耗尽型MOSFET有效
| 申请号： | 201220379154.2 | 申请日： | 2012-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN202796964U | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 赵金波;王维建;曹俊 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种耗尽型MOSFET，其中耗尽型MOSFET包括：一第一掺杂类型的掺杂衬底；形成于所述衬底一面上的第一掺杂类型的外延层；形成于所述外延层内的第二掺杂类型的深阱；以及形成于每个所述深阱中部的第一掺杂类型的离子注入沟道。本实用新型所提供的耗尽型MOSFET的沟道是通过采用掩膜层的离子注入形成，因其精确的沟道的结构、位置和深度从而能够保证更高的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 耗尽 mosfet | ||
【主权项】：
一种耗尽型MOSFET，其特征在于，包括：一第一掺杂类型的掺杂衬底；形成于所述衬底一面上的第一掺杂类型的外延层；形成于所述外延层内的第二掺杂类型的深阱；以及形成于所述深阱中部的第一掺杂类型的离子注入沟道。
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