[实用新型]耗尽型MOSFET有效
| 申请号： | 201220379154.2 | 申请日： | 2012-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN202796964U | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 赵金波;王维建;曹俊 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 耗尽 mosfet | ||
【权利要求书】：
1.一种耗尽型MOSFET，其特征在于，包括：
一第一掺杂类型的掺杂衬底；
形成于所述衬底一面上的第一掺杂类型的外延层；
形成于所述外延层内的第二掺杂类型的深阱；以及
形成于所述深阱中部的第一掺杂类型的离子注入沟道。
2.如权利要求1所述的耗尽型MOSFET，其特征在于，所述耗尽型MOSFET还包括：
形成于所述沟道上方的栅极结构；
形成于所述栅极结构两侧深阱内的源极区域和漏极区域。
3.如权利要求2所述的耗尽型MOSFET，其特征在于，所述栅极结构包括栅极氧化层和栅极。
4.如权利要求3所述的耗尽型MOSFET，其特征在于，所述栅极氧化层为氧化硅。
5.如权利要求4所述的耗尽型MOSFET，其特征在于，所述栅极为多晶硅、掺杂多晶硅或者铝中的一种。
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