[实用新型]预清洗工艺腔室有效
| 申请号： | 201220282730.1 | 申请日： | 2012-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN202717836U | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 陈鹏;吕铀;王东;郭浩 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C14/22 | 分类号： | C23C14/22 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种预清洗工艺腔室。该预清洗工艺腔室包括：腔体、第一射频装置和承载装置，承载装置位于腔体的内部，腔室的顶盖向腔体外部凸起，且顶盖中心位置的凸起程度大于顶盖边缘位置的凸起程度；第一射频装置，用于向腔体提供第一射频功率，以将腔体内的工艺气体激发为等离子体；承载装置，用于承载待清洗件。本实用新型中，腔体的顶盖向腔体外部凸起，顶盖中心位置的凸起程度大于顶盖边缘位置的凸起程度，使密度较高的中心区域的等离子体可通过向上扩散而较大程度的降低密度，有效减小了中心区域等离子体密度和边缘区域等离子体密度的差异，从而提高了预清洗工艺的工艺均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 工艺 | ||
【主权项】：
一种预清洗工艺腔室，其特征在于，包括：腔体、第一射频装置和承载装置，所述承载装置位于所述腔体的内部，所述腔室的顶盖向所述腔体外部凸起，且所述顶盖中心位置的凸起程度大于所述顶盖边缘位置的凸起程度；所述第一射频装置，用于向所述腔体提供第一射频功率，以将所述腔体内的工艺气体激发为等离子体；所述承载装置，用于承载待清洗件。
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