[实用新型]预清洗工艺腔室

说明书

技术领域

本实用新型涉及微电子技术领域，特别涉及一种预清洗工艺腔室。

背景技术

等离子体设备广泛用于目前的半导体、太阳能电池、平板显示等制造工艺中。在目前的制造工艺中，等离子体设备的类型包括直流放电类型、电容耦合等离子体(CCP)类型、电感耦合等离子体(ICP)类型以及电子回旋共振等离子体(ECR)类型。目前上述类型的等离子体设备被广泛应用于物理气相沉积(PVD)、等离子体刻蚀以及等离子体化学气相沉积(CVD)等工艺。

在PVD工艺中，特别是对于集成电路(IC)、硅穿孔(TSV)、封装(Packaging)制造工艺，需要通过预清洗(Preclean)工艺腔室对待清洗件进行预清洗工艺。预清洗工艺作为PVD工艺的一部分，其目的是为了在待清洗件上沉积金属膜之前，清除待清洗件表面的污染物或待清洗件上沟槽和穿孔底部的残余物。预清洗工艺完成后的下一个步骤就是通过溅射工艺在待清洗件上沉积金属膜。预清洗工艺会明显提升沉积金属膜工艺中所沉积的金属膜的附着力以及改善芯片的电气性能和可靠性。预清洗工艺是将工艺气体激发为等离子体，并利用等离子体的化学反应和物理轰击作用，对待清洗件进行去杂质的处理，例如：工艺气体可以为氩气(Ar)或者氦气(He)等。待清洗件可包括：晶圆或者工件。

在预清洗工艺腔室中，工艺气体被激发为等离子体后，由于中心区域的等离子体的正、负粒子的碰撞复合较难，而边缘区域的等离子体的正粒子或者负粒子可以与腔室壁复合，这导致中心区域的等离子体密度高于边缘区域的等离子体密度，从而造成预清洗工艺的工艺均匀性较差。

实用新型内容

本实用新型提供一种预清洗工艺腔室，用以提高预清洗工艺的工艺均匀性。

为实现上述目的，本实用新型提供一种预清洗工艺腔室，包括：腔体、第一射频装置和承载装置，所述承载装置位于所述腔体的内部，所述腔室的顶盖向所述腔体外部凸起，且所述顶盖中心位置的凸起程度大于所述顶盖边缘位置的凸起程度；

所述第一射频装置，用于向所述腔体提供第一射频功率，以将所述腔体内的工艺气体激发为等离子体；

所述承载装置，用于承载待清洗件。

可选地，所述顶盖从中心位置到边缘位置凸起程度均匀降低。

可选地，所述顶盖的中心位置与所述承载装置承载面的垂直距离大于所述顶盖的边缘位置与所述承载装置承载面的垂直距离。

可选地，所述顶盖的中心位置对应于所述腔体的中心区域，所述顶盖的边缘位置对应于所述腔体的边缘区域。

可选地，所述顶盖的形状包括：穹顶形。

可选地，所述顶盖的形状包括：圆锥形。

可选地，所述顶盖的形状包括：顶部为圆弧状的圆锥形或者顶部为平台状的圆锥形。

可选地，所述预清洗工艺腔室还包括：线圈，所述线圈设置于所述腔体的侧壁的外部，所述第一射频装置连接至所述线圈。

可选地，所述预清洗腔室还包括：第二射频装置，所述第二射频装置连接至所述承载装置；

所述第二射频装置，用于通过所述承载装置向腔体提供第二射频功率。

可选地，所述预清洗工艺腔室还包括：设置于所述顶盖外部的屏蔽壳；

所述屏蔽壳，用于屏蔽来自于所述腔体内部的辐射。

本实用新型具有以下有益效果：

本实用新型提供的预清洗工艺腔室的技术方案中，腔体的顶盖向腔体外部凸起，且顶盖中心位置的凸起程度大于顶盖边缘位置的凸起程度，使密度较高的中心区域的等离子体可通过向上扩散而较大程度的降低密度，有效减小了中心区域等离子体密度和边缘区域等离子体密度的差异，从而提高了预清洗工艺的工艺均匀性。

附图说明

图1为本实用新型实施例一提供的一种预清洗工艺腔室的结构示意图；

图2为本实用新型实施例二提供的一种预清洗工艺腔室的结构示意图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，下面结合附图对本实用新型提供的预清洗工艺腔室进行详细描述。

图1为本实用新型实施例一提供的一种预清洗工艺腔室的结构示意图，如图1所示，该预清洗工艺腔室包括：腔体、第一射频装置和承载装置1，承载装置1位于腔体的内部，腔室的顶盖2向腔体外部凸起，且顶盖2中心位置的凸起程度大于顶盖2边缘位置的凸起程度。第一射频装置用于向腔体提供第一射频功率，以将腔体内的工艺气体激发为等离子体。承载装置1用于承载待清洗件。

其中，待清洗件可包括：晶圆或者工件。