[实用新型]功率金氧半导体场效晶体管

摘要

本实用新型涉及一种功率金氧半导体场效晶体管，有有源区、栅极母线区以及终端区，其包含基板、导电沟渠、阱区与介电层。所述功率金氧半导体场效晶体管还具有至少一终端结构，其包括至少一个导电沟渠、多个位于终端区内并借助于导电沟渠互相电性隔离的阱区、一场效电板、一接触栓塞及一重掺杂区。由电板金属与介电层构成的场效电板配置在终端区内的导电沟渠与阱区上。而接触栓塞穿过介电层连接电板金属与一个阱区，使电板金属通过接触栓塞而与阱区等电位。阱区与导电沟渠借助于上述介电层而与电板金属电性耦合。重掺杂区则介于接触栓塞与被连接的阱区之间。

主权项

功率金氧半导体场效晶体管，其特征在于，具有一有源区、一栅极母线区以及一终端区，包括：一基板；多个导电沟渠，位于该基板中；多个阱区，配置在该基板内；以及一介电层，配置在该些导电沟渠的表面，所述功率金氧半导体场效晶体管还包括：至少一终端结构，该至少一终端结构包括：至少一个所述导电沟渠；多个所述阱区，配置在该终端区内并借助于该些导电沟渠互相电性隔离；一场效电板，配置在该终端区内的所述导电沟渠与所述阱区上，其中该场效电板是由一电板金属与该介电层所构成；一接触栓塞，穿过该介电层连接该电板金属与该些阱区其中之一，使该电板金属通过该接触栓塞而与被连接的该阱区等电位，而该些阱区与该些导电沟渠借助于该介电层而与该电板金属电性耦合；以及一重掺杂区，介于该接触栓塞与被连接的该阱区之间。