[实用新型]功率金氧半导体场效晶体管

权利要求书

1.一种功率金氧半导体场效晶体管，其特征在于，具有一有源区、一栅极母线区以及一终端区，包括：

一基板；

多个导电沟渠，位于该基板中；

多个阱区，配置在该基板内；以及

一介电层，配置在该些导电沟渠的表面，

所述功率金氧半导体场效晶体管还包括：至少一终端结构，该至少一终端结构包括：

至少一个所述导电沟渠；

多个所述阱区，配置在该终端区内并借助于该些导电沟渠互相电性隔离；

一场效电板，配置在该终端区内的所述导电沟渠与所述阱区上，其中该场效电板是由一电板金属与该介电层所构成；

一接触栓塞，穿过该介电层连接该电板金属与该些阱区其中之一，使该电板金属通过该接触栓塞而与被连接的该阱区等电位，而该些阱区与该些导电沟渠借助于该介电层而与该电板金属电性耦合；以及

一重掺杂区，介于该接触栓塞与被连接的该阱区之间。

2.根据权利要求1所述的功率金氧半导体场效晶体管，其特征在于，该基板为n型基板、该些阱区为p型阱区以及该重掺杂区为p+区。

3.根据权利要求1所述的功率金氧半导体场效晶体管，其特征在于，该基板为p型基板、该些阱区为n型阱区以及该重掺杂区为n+区。

4.根据权利要求1所述的功率金氧半导体场效晶体管，其特征在于，该接触栓塞所连接的该阱区横跨该终端区、该栅极母线区与该有源区。

5.根据权利要求1所述的功率金氧半导体场效晶体管，其特征在于，该终端结构的所述阱区越靠近该有源区者，其电位越低；而越远离该有源区者，其电位越高。

6.根据权利要求5所述的功率金氧半导体场效晶体管，其特征在于，该接触栓塞所连接的该阱区为该终端结构的所述阱区中电位最低者。

7.根据权利要求1所述的功率金氧半导体场效晶体管，其特征在于，该至少一终端结构的数量大于1。

8.根据权利要求1所述的功率金氧半导体场效晶体管，其特征在于，还包括一封环区包围该至少一终端结构。

9.根据权利要求1所述的功率金氧半导体场效晶体管，其特征在于，该些导电沟渠包括位于该至少一终端结构与该栅极母线区之间的该基板中。

10.根据权利要求1所述的功率金氧半导体场效晶体管，其特征在于，该些导电沟渠包括位于该至少一终端结构以外的该基板中。

11.根据权利要求1所述的功率金氧半导体场效晶体管，其特征在于，还包括多个掺杂区，配置在该些阱区与该介电层之间，其中位于该有源区内的该些掺杂区作为源极掺杂区。

12.一种功率金氧半导体场效晶体管，其特征在于，具有一有源区、一栅极母线区以及一终端区，包括：

一基板；

多个导电沟渠，位于该基板中；

多个阱区，配置在该基板内；以及

一介电层，配置在该些导电沟渠的表面，

所述功率金氧半导体场效晶体管还包括一第一终端结构与至少一第二终端结构，其中，

该第一终端结构包括：

一沟渠式栅极，位于该栅极母线区内；

至少一个所述导电沟渠，位于该沟渠式栅极旁；

多个所述阱区，借助于该些导电沟渠互相电性隔离；

一第一场效电板，配置在该沟渠式栅极、所述导电沟渠与所述阱区上，其中该第一场效电板是由一第一电板金属与该介电层所构成；以及

一第一接触栓塞，穿过该介电层连接该第一电板金属与该沟渠式栅极，使该第一电板金属通过该第一接触栓塞而与该沟渠式栅极等电位，而该些阱区与该些导电沟渠借助于该介电层而与该第一电板金属电性耦合；

该至少一第二终端结构包括：

至少一个所述导电沟渠；

多个所述阱区，配置在该终端区内并借助于该些导电沟渠互相电性隔离；

一第二场效电板，配置在未被该第一电板金属覆盖的所述阱区与所述导电沟渠上，其中该第二场效电板是由一第二电板金属与该介电层所构成；

一第二接触栓塞，穿过该介电层连接该第二电板金属与该些阱区其中之一，使该第二电板金属通过该第二接触栓塞而与被连接的该阱区等电位；以及

一重掺杂区，介于该第二接触栓塞与被连接的该阱区之间。