[实用新型]一种SIM卡热插拔电路及其手机有效
申请号: | 201220100120.5 | 申请日: | 2012-03-16 |
公开(公告)号: | CN202551148U | 公开(公告)日: | 2012-11-21 |
发明(设计)人: | 王柯;顾建良 | 申请(专利权)人: | 惠州TCL移动通信有限公司 |
主分类号: | H04M1/40 | 分类号: | H04M1/40;G06F13/40 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所 44268 | 代理人: | 王永文;杨宏 |
地址: | 516006 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种SIM卡热插拔电路及其手机,所述电路包括基带芯片、SIM卡连接器和在SIM卡连接器内设置的开关,还包括场效应管、第一分压模块和第二分压模块,所述场效应管的源极连接基带芯片的VSIM管脚,漏极连接所述SIM卡连接器的VSIM管脚、栅极通过第一分压模块连接所述基带芯片的SIMDET管脚,通过第二分压模块连接基带芯片的VSIM管脚;所述第一分压模块的电阻小于第二分压模块的电阻。本实用新型通过设置在SIM卡连接器内的开关,来检测SIM卡插入与否,通过场效应管的各管脚电压来判定是否导通基带芯片的SIM卡连接器,这样可有效地保护SIM卡,防止SIM卡因热插拔而造成损坏。 | ||
搜索关键词: | 一种 sim 卡热插拔 电路 及其 手机 | ||
【主权项】:
一种SIM卡热插拔电路,包括基带芯片和SIM卡连接器,所述基带芯片与SIM卡连接器连接;在SIM卡连接器内设置有用于检测SIM卡插入状态的开关,所述开关一端连接基带芯片的SIMDET管脚,另一端接地,其特征在于,还包括场效应管、第一分压模块和第二分压模块,所述场效应管的源极连接基带芯片的VSIM管脚,漏极连接所述SIM卡连接器的VSIM管脚、栅极通过第一分压模块连接所述基带芯片的SIMDET管脚和开关的一端,栅极还通过第二分压模块连接基带芯片的VSIM管脚和场效应管的源极;所述第一分压模块的电压小于第二分压模块的电压。
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