[实用新型]一种SIM卡热插拔电路及其手机有效

专利信息
申请号: 201220100120.5 申请日: 2012-03-16
公开(公告)号: CN202551148U 公开(公告)日: 2012-11-21
发明(设计)人: 王柯;顾建良 申请(专利权)人: 惠州TCL移动通信有限公司
主分类号: H04M1/40 分类号: H04M1/40;G06F13/40
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所 44268 代理人: 王永文;杨宏
地址: 516006 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开了一种SIM卡热插拔电路及其手机,所述电路包括基带芯片、SIM卡连接器和在SIM卡连接器内设置的开关,还包括场效应管、第一分压模块和第二分压模块,所述场效应管的源极连接基带芯片的VSIM管脚,漏极连接所述SIM卡连接器的VSIM管脚、栅极通过第一分压模块连接所述基带芯片的SIMDET管脚,通过第二分压模块连接基带芯片的VSIM管脚;所述第一分压模块的电阻小于第二分压模块的电阻。本实用新型通过设置在SIM卡连接器内的开关,来检测SIM卡插入与否,通过场效应管的各管脚电压来判定是否导通基带芯片的SIM卡连接器,这样可有效地保护SIM卡,防止SIM卡因热插拔而造成损坏。
搜索关键词: 一种 sim 卡热插拔 电路 及其 手机
【主权项】:
一种SIM卡热插拔电路,包括基带芯片和SIM卡连接器,所述基带芯片与SIM卡连接器连接;在SIM卡连接器内设置有用于检测SIM卡插入状态的开关,所述开关一端连接基带芯片的SIMDET管脚,另一端接地,其特征在于,还包括场效应管、第一分压模块和第二分压模块,所述场效应管的源极连接基带芯片的VSIM管脚,漏极连接所述SIM卡连接器的VSIM管脚、栅极通过第一分压模块连接所述基带芯片的SIMDET管脚和开关的一端,栅极还通过第二分压模块连接基带芯片的VSIM管脚和场效应管的源极;所述第一分压模块的电压小于第二分压模块的电压。
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