[实用新型]一种SIM卡热插拔电路及其手机有效
| 申请号： | 201220100120.5 | 申请日： | 2012-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN202551148U | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 王柯;顾建良 | 申请（专利权）人： | 惠州TCL移动通信有限公司 |
| 主分类号： | H04M1/40 | 分类号： | H04M1/40;G06F13/40 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所 44268 | 代理人： | 王永文;杨宏 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sim 卡热插拔 电路 及其 手机 | ||
1.一种SIM卡热插拔电路，包括基带芯片和SIM卡连接器，所述基带芯片与SIM卡连接器连接；在SIM卡连接器内设置有用于检测SIM卡插入状态的开关，所述开关一端连接基带芯片的SIMDET管脚，另一端接地，其特征在于，还包括场效应管、第一分压模块和第二分压模块，所述场效应管的源极连接基带芯片的VSIM管脚，漏极连接所述SIM卡连接器的VSIM管脚、栅极通过第一分压模块连接所述基带芯片的SIMDET管脚和开关的一端，栅极还通过第二分压模块连接基带芯片的VSIM管脚和场效应管的源极；所述第一分压模块的电压小于第二分压模块的电压。
2.如权利要求1所述的SIM卡热插拔电路，其特征在于，所述第一分压模块包括第一电阻，所述第一电阻的一端连接场效应管的栅极和第二分压模块，另一端连接基带芯片的SIMDET管脚和开关的一端。
3.如权利要求2所述的SIM卡热插拔电路，其特征在于，所述第二分压模块包括第二电阻，所述第二电阻的一端连接基带芯片的VSIM管脚和场效应管的源极；另一端连接场效应管的栅极和第一电阻的一端。
4.如权利要求3所述SIM卡热插拔电路，其特征在于，所述第二电阻的阻值是第一电阻的十倍。
5.如权利要求1～4任一所述的SIM卡热插拔电路，其特征在于，所述场效应管为N沟道MOS管。
6.一种手机，包括外壳，以及设置在外壳内的主板，所述主板上设置基带芯片和SIM卡连接器，所述基带芯片与SIM卡连接器连接；在SIM卡连接器内设置有用于检测SIM卡插入状态的开关，所述开关一端连接基带芯片的SIMDET管脚，另一端接地，其特征在于，还包括场效应管、第一分压模块和第二分压模块，所述场效应管的源极连接基带芯片的VSIM管脚，漏极连接所述SIM卡连接器的VSIM管脚、栅极通过第一分压模块连接所述基带芯片的SIMDET管脚和开关的一端，栅极还通过第二分压模块连接基带芯片的VSIM管脚和场效应管的源极；所述第一分压模块的电压小于第二分压模块的电压。
7.如权利要求6所述的手机，其特征在于，所述第一分压模块包括第一电阻，所述第一电阻的一端连接场效应管的栅极和第二分压模块，另一端连接基带芯片的SIMDET管脚和开关的一端。
8.如权利要求7所述的手机，其特征在于，所述第二分压模块包括第二电阻，所述第二电阻的一端连接基带芯片的VSIM管脚和场效应管的源极；另一端连接场效应管的栅极和第一电阻的一端。
9.如权利要求8所述的手机，其特征在于，所述第二电阻的阻值是第一电阻的十倍。
10.如权利要求6～9任一所述的手机，其特征在于，所述场效应管为N沟道MOS管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于惠州TCL移动通信有限公司，未经惠州TCL移动通信有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201220100120.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种MCU级联系统
- 下一篇：一种感温变色移动终端
