[实用新型]一种SIM卡热插拔电路及其手机

说明书

技术领域

本实用新型涉及手机电路，尤其涉及一种SIM卡热插拔电路及其手机。

背景技术

现有的大多数手机设计里都是允许用户在正常工作的时候进行SIM卡热插拔，在这种情况下，经常性地进行热插拔会导致SIM卡的损坏或者基带芯片SIM卡接口损坏。

因此，现有技术有待于完善和发展。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种可以有效防止SIM卡热插拔造成损坏的SIM卡热插拔电路及其手机。

本实用新型的技术方案如下：

一种SIM卡热插拔电路，包括基带芯片和SIM卡连接器，所述基带芯片与SIM卡连接器连接；在SIM卡连接器内设置有用于检测SIM卡插入状态的开关，所述开关一端连接基带芯片的SIMDET管脚，另一端接地，还包括场效应管、第一分压模块和第二分压模块，所述场效应管的源极连接基带芯片的VSIM管脚，漏极连接所述SIM卡连接器的VSIM管脚、栅极通过第一分压模块连接所述基带芯片的SIMDET管脚和开关的一端，栅极还通过第二分压模块连接基带芯片的VSIM管脚和场效应管的源极；所述第一分压模块的电压小于第二分压模块的电压。

所述的SIM卡热插拔电路，其中，所述第一分压模块包括第一电阻，所述第一电阻的一端连接场效应管的栅极和第二分压模块，另一端连接基带芯片的SIMDET管脚和开关的一端。

所述的SIM卡热插拔电路，其中，所述第二分压模块包括第二电阻，所述第二电阻的一端连接基带芯片的VSIM管脚和场效应管的源极；另一端连接场效应管的栅极和第一电阻的一端。

所述的SIM卡热插拔电路，其中，所述第二电阻的阻值是第一电阻的十倍。

所述的SIM卡热插拔电路，其中，所述场效应管为N沟道MOS管。

一种手机，包括外壳，以及设置在外壳内的主板，所述主板上设置基带芯片和SIM卡连接器，所述基带芯片与SIM卡连接器连接；在SIM卡连接器内设置有用于检测SIM卡插入状态的开关，所述开关一端连接基带芯片的SIMDET管脚，另一端接地，还包括场效应管、第一分压模块和第二分压模块，所述场效应管的源极连接基带芯片的VSIM管脚，漏极连接所述SIM卡连接器的VSIM管脚、栅极通过第一分压模块连接所述基带芯片的SIMDET管脚和开关的一端，栅极还通过第二分压模块连接基带芯片的VSIM管脚和场效应管的源极；所述第一分压模块的电压小于第二分压模块的电压。

所述的手机，其中，所述第一分压模块包括第一电阻，所述第一电阻的一端连接场效应管的栅极和第二分压模块，另一端连接基带芯片的SIMDET管脚和开关的一端。

所述的手机，其中，所述第二分压模块包括第二电阻，所述第二电阻的一端连接基带芯片的VSIM管脚和场效应管的源极；另一端连接场效应管的栅极和第一电阻的一端。

所述的手机，其中，所述第二电阻的阻值是第一电阻的十倍。

所述的手机，其中，所述场效应管为N沟道MOS管。

本实用新型通过设置在SIM卡连接器内的开关，来检测SIM卡插入与否，然后在SIM卡插入的时候，由于开关接通，并在第一分压模块和第二分压模块的分压作用下，结合高低电平，使得基带芯片的SIMDET管脚被拉低后导通场效应管，从而基带芯片的VSIM管脚输出电压到SIM卡连接器，此时SIM卡能正常运行。当SIM卡拔出的时候，开关会恢复断开状态，此时，SIMDET会被拉高，而场效应管的栅极会因此将基带芯片的VSIM管脚与SIM卡连接器断开，这样就有效地保护了SIM卡，防止SIM卡因热插拔而造成损坏。

附图说明

图1为本实用新型一种SIM卡热插拔电路的结构示意图。

具体实施方式

本实用新型提供了一种SIM卡热插拔电路及其手机，为使本实用新型的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下参照附图并举实例对本实用新型进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。