[实用新型]半导体封装构造有效

专利信息
申请号: 201220017565.7 申请日: 2012-01-16
公开(公告)号: CN202443968U 公开(公告)日: 2012-09-19
发明(设计)人: 钟启生;陈建成 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/552 分类号: H01L23/552;H01L23/31
代理公司: 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 代理人: 翟羽
地址: 中国台湾高雄*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 实用新型公开一种半导体封装构造,其包含:一基板、一第一封装区、一第二封装区、一金属层及一保护层。所述基板具有一承载面及多个接地端;所述第一封装区固设于所述基板的所述承载面上;所述第二封装区固设于所述基板的所述承载面上,且与所述第一封装区之间留有间隙;所述金属层披覆于所述第一封装区、所述第二封装区及所述基板上;所述保护层披覆于所述金属层上。所述基板的所述接地端设置于所述间隙处,所述金属层电性连接所述基板的所述接地端,故所述半导体封装构造可有效降低电磁干扰,进而提高半导体封装构造的品质稳定性。
搜索关键词: 半导体 封装 构造
【主权项】:
一种半导体封装构造,其特征在于:所述半导体封装构造包含:一基板,具有一承载面、一讯号输出/输入面及多个接地端,所述接地端自所述承载面贯穿至所述讯号输出/输入面;一第一封装区,固设于所述基板的所述承载面上;一第二封装区,固设于所述基板的所述承载面上,且与所述第一封装区之间留有一间隙;一金属层,披覆于所述第一封装区、所述第二封装区及所述基板上;以及一保护层,披覆于所述金属层上;其中所述基板的所述接地端设置于所述间隙处,所述金属层电性连接所述基板的所述接地端。
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