[实用新型]半导体封装构造有效
| 申请号： | 201220017565.7 | 申请日： | 2012-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN202443968U | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 钟启生;陈建成 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L23/31 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 构造 | ||
1.一种半导体封装构造，其特征在于：所述半导体封装构造包含：
一基板，具有一承载面、一讯号输出/输入面及多个接地端，所述接地端自所述承载面贯穿至所述讯号输出/输入面；
一第一封装区，固设于所述基板的所述承载面上；
一第二封装区，固设于所述基板的所述承载面上，且与所述第一封装区之间留有一间隙；
一金属层，披覆于所述第一封装区、所述第二封装区及所述基板上；以及
一保护层，披覆于所述金属层上；
其中所述基板的所述接地端设置于所述间隙处，所述金属层电性连接所述基板的所述接地端。
2.如权利要求1所述的半导体封装构造，其特征在于：所述金属层是选自铜或金。
3.如权利要求1所述的半导体封装构造，其特征在于：所述金属层的厚度是0.5至10微米之间。
4.如权利要求1所述的半导体封装构造，其特征在于：所述半导体封装构造还包含一附着层，所述附着层设置在所述金属层与所述第一封装区之间、在所述金属层与所述第二封装区之间，以及在所述金属层与所述承载面之间。
5.如权利要求4所述的半导体封装构造，其特征在于：所述保护层及所述附着层是选自不锈钢镀层。
6.如权利要求5所述的半导体封装构造，其特征在于：所述不锈钢镀层的厚度是20至1000纳米之间。
7.如权利要求1所述的半导体封装构造，其特征在于：所述半导体封装构造还包含一外封装胶体，所述外封装胶体覆盖所述保护层。
8.如权利要求1所述的半导体封装构造，其特征在于：所述第一封装区包含至少一第一芯片及一第一封装胶体，所述第一封装胶体包覆所述第一芯片；及所述第二封装区包含至少一第二芯片及一第二封装胶体，所述第二封装胶体包覆所述第二芯片，且所述第一芯片及所述第二芯片是不同频率的芯片。
9.如权利要求8所述的半导体封装构造，其特征在于：所述第一封装区另包含至少一第一无源组件，所述第一封装胶体包覆所述第一无源组件；及所述第二封装区另包含至少一第二无源组件，所述第二封装胶体包覆所述第二无源组件。
10.一种半导体封装构造，其特征在于：所述半导体封装构造包含：
一基板，具有多个接地端及多个金属接点，所述接地端贯穿所述基板；至少一第一封装区，各包含至少一第一芯片、至少一第一无源组件及一第一封装胶体，所述第一封装胶体包覆所述第一芯片及所述第一无源组件；
至少一第二封装区，各包含至少一第二芯片、至少一第二无源组件及一第二封装胶体，所述第二封装胶体包覆所述第二芯片及所述第二无源组件；
一附着层，披覆于所述第一封装区、所述第二封装区及所述基板上；
一金属层，披覆于所述附着层上，并通过所述附着层电性连接所述基板的所述接地端；
一保护层，披覆于所述金属层上；以及
一外封装胶体，包覆所述保护层；
其中所述第一、第二封装区固设于所述基板上，且所述第一、第二封装区之间留有一间隙，所述基板的所述接地端设置于所述间隙处。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司，未经日月光半导体制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201220017565.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：线路板式三相整流桥
- 下一篇：并联结构的变色温双电弧管HID金卤灯
