[发明专利]超低功耗高精度上电复位电路有效

专利信息
申请号: 201210590538.3 申请日: 2012-12-31
公开(公告)号: CN103066971A 公开(公告)日: 2013-04-24
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 成都锐成芯微科技有限责任公司
主分类号: H03K17/22 分类号: H03K17/22
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610041 四川省成都市*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 一种超低功耗高精度上电复位电路,其特征在于:所述超低功耗高精度上电复位电路包括一分压电路、一参考电压产生电路、一迟滞比较器、一RC延迟电路、一施密特缓冲器、一输出驱动级、一第一输入电源、一第二输入电源和一输入地,所述分压电路用极低的功耗得到所述第一输入电源的采样电压,所述参考电压产生电路在产生低值电流源的同时生成随CMOS工艺角和温度变化不大的参考电压,所述迟滞比较器比较采样电压和参考电压,其输出经过所述RC延迟电路、所述施密特缓冲器和所述输出驱动级得到上电复位指示信号。本发明提供的超低功耗高精度上电复位电路,可以实现上电复位电路的超低功耗特性和上电复位翻转阈值的高精度。
搜索关键词: 功耗 高精度 复位 电路
【主权项】:
一种超低功耗高精度上电复位电路,其特征在于:所述超低功耗高精度上电复位电路包括一分压电路、一参考电压产生电路、一迟滞比较器、一RC延迟电路、一施密特缓冲器、一输出驱动级、一第一输入电源、一第二输入电源和一输入地,所述分压电路用极低的功耗得到所述第一输入电源的采样电压,所述参考电压产生电路在产生低值电流源的同时生成随CMOS工艺角和温度变化不大的参考电压,所述迟滞比较器比较采样电压和参考电压,其输出经过所述RC延迟电路、所述施密特缓冲器和所述输出驱动级得到上电复位指示信号。
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