[发明专利]超低功耗高精度上电复位电路

说明书

技术领域

本发明涉及上电复位电路，具体涉及一种超低功耗高精度上电复位电路。

背景技术

在现今对各行业各领域要求节能环保的大趋势下，低功耗设计将在集成电路设计领域中成为重要规范，它对于一些电池供电系统尤为重要。由于一些电池供电系统是长时间连续工作，其中的一些探测系统甚至连续工作数月乃至数年，为了延长系统的使用时间，必须在电路设计环节做到低功耗设计。

上电复位电路是一种常见的长时间连续工作电路，很多低功耗系统要求其上电复位电路具有超低功耗特性，目前主流的方法是采用零静态功耗的自开关型上电复位电路，但是这种电路最大的缺陷是：该电路检测到的上电复位翻转阈值电压非常不准确，不适用于对翻转阈值精度要求较高的上电复位电路设计。为了实现较高精度的上电复位翻转阈值，传统的方法是产生一个精准的基准电压去做比较，但基准电压的产生会带来额外的功耗，不利于实现超低功耗设计。

发明内容

本发明的目的是，提供一种超低功耗高精度上电复位电路。利用场效应管的亚阈区工作特性，在产生低值电流源的同时生成随CMOS工艺角和温度变化不大的参考电压，从而在实现超低功耗的同时，也实现了上电复位翻转阈值的高精度。

本发明采用的技术方案为，一种超低功耗高精度上电复位电路，其特征在于：所述超低功耗高精度上电复位电路包括一分压电路、一参考电压产生电路、一迟滞比较器、一RC延迟电路、一施密特缓冲器、一输出驱动级、一第一输入电源、一第二输入电源和一输入地，所述分压电路用极低的功耗得到所述第一输入电源的采样电压，所述参考电压产生电路在产生低值电流源的同时生成随CMOS工艺角和温度变化不大的参考电压，所述迟滞比较器比较采样电压和参考电压，其输出经过所述RC延迟电路、所述施密特缓冲器和所述输出驱动级得到上电复位指示信号。

所述分压电路的1A端与所述迟滞比较器的3B端相连，所述分压电路的1B输入端与所述参考电压产生电路的2C端与所述迟滞比较器的3E端与所述RC延迟电路的4D端与所述施密特缓冲器的5C端与所述输出驱动级的6C端与所述输入地相连，所述分压电路的1C输入端与所述参考电压产生电路的2D端与所述迟滞比较器的3F端与所述RC延迟电路的4E端与所述施密特缓冲器的5D端与所述第一输入电源相连；所述参考电压产生电路的2A端与所述施密特缓冲器的3A端相连，所述参考电压产生电路的2B端与所述施密特缓冲器的3D端与所述RC延迟电路的4B端相连；所述施密特缓冲器的3C端与所述RC延迟电路的4A端相连；所述RC延迟电路的4C端与所述施密特缓冲器的5A端相连；所述施密特缓冲器的5B端与所述输出驱动级的6A端相连；所述输出驱动级的6B端为上电复位指示信号，所述输出驱动级的6D端与所述第二输入电源相连。

所述分压电路包括一第一P型场效应管MPR1、一第二P型场效应管MPR2和一第三P型场效应管MPR3，所述第一P型场效应管MPR1的源极与衬底相连于所述第一输入电源，所述第一P型场效应管MPR1的栅极与漏底相连于所述第二P型场效应管MPR2的源极；所述第二P型场效应管MPR2的源极与衬底相连，所述第二P型场效应管MPR2的栅极与漏底相连于所述第三P型场效应管MPR3的源极；所述第三P型场效应管MPR3的源极与衬底相连，所述第三P型场效应管MPR3的栅极与漏极相连于所述输入地。

所述参考电压产生电路包括一与所述第一输入电源相连的第四P型场效应管MP1、一与所述第四P型场效应管MP1及所述第一输入电源相连的第五P型场效应管MP2、一与第四P型场效应管MP1相连的第六P型场效应管MP3、一与所述第五P型场效应管MP2及所述第六P型场效应管MP3相连的第七P型场效应管MP4、一与所述第六P型场效应管MP3及第七P型场效应管MP4相连的第八P型场效应管MP5、一与所述第八P型场效应管MP5相连的第三N型场效应管MN3、一与所述第六P型场效应管MP3相连的电阻R2、一与所述电阻R2及输入地相连的第一N型场效应管MN1、一与所述第一N型场效应管MN1相连的启动电路、一与所述第一N型场效应管MN1及所述启动电路及所述第七P型场效应管MP4相连的第二N型场效应管MN2、一与所述第二N型场效应管MN2及输入地相连的电阻R1。

所述RC延迟电路包括一与所述RC延迟电路的4B端及所述第一输入电源相连的第九P型场效应管MP6、一与所述RC延迟电路的4A端及所述第九P型场效应管MP6及所述输入地相连的第四N型场效应管MN4、一与所述第九P型场效应管MP6及所述第四N型场效应管MN4相连的电容C0。