[发明专利]超低功耗高精度上电复位电路

权利要求书

1.一种超低功耗高精度上电复位电路，其特征在于：所述超低功耗高精度上电复位电路包括一分压电路、一参考电压产生电路、一迟滞比较器、一RC延迟电路、一施密特缓冲器、一输出驱动级、一第一输入电源、一第二输入电源和一输入地，所述分压电路用极低的功耗得到所述第一输入电源的采样电压，所述参考电压产生电路在产生低值电流源的同时生成随CMOS工艺角和温度变化不大的参考电压，所述迟滞比较器比较采样电压和参考电压，其输出经过所述RC延迟电路、所述施密特缓冲器和所述输出驱动级得到上电复位指示信号。

2.如权利要求1中所述的上电复位电路，其特征在于：所述分压电路的1A端与所述迟滞比较器的3B端相连，所述分压电路的1B输入端与所述参考电压产生电路的2C端与所述迟滞比较器的3E端与所述RC延迟电路的4D端与所述施密特触发器的5C端与所述输出驱动级的6C端与所述输入地相连，所述分压电路的1C输入端与所述参考电压产生电路的2D端与所述迟滞比较器的3F端与所述RC延迟电路的4E端与所述施密特触发器的5D端与所述第一输入电源相连；所述参考电压产生电路的2A端与所述施密特触发器的3A端相连，所述参考电压产生电路的2B端与所述施密特触发器的3D端与所述RC延迟电路的4B端相连；所述施密特触发器的3C端与所述RC延迟电路的4A端相连；所述RC延迟电路的4C端与所述施密特触发器的5A端相连；所述施密特触发器的5B端与所述输出驱动级的6A端相连；所述输出驱动级的6B端为上电复位指示信号，所述输出驱动级的6D端与所述第二输入电源相连。

3.如权利要求2中所述的上电复位电路，其特征在于：所述分压电路包括一第一P型场效应管MPR1、一第二P型场效应管MPR2和一第三P型场效应管MPR3，所述第一P型场效应管MPR1的源极与衬底相连于所述第一输入电源，所述第一P型场效应管MPR1的栅极与漏底相连于所述第二P型场效应管MPR2的源极；所述第二P型场效应管MPR2的源极与衬底相连，所述第二P型场效应管MPR2的栅极与漏底相连于所述第三P型场效应管MPR3的源极；所述第三P型场效应管MPR3的源极与衬底相连，所述第三P型场效应管MPR3的栅极与漏极相连于所述输入地。

4.如权利要求2中所述的上电复位电路，其特征在于：所述参考电压产生电路包括一与所述第一输入电源相连的第四P型场效应管MP1、一与所述第四P型场效应管MP1及所述第一输入电源相连的第五P型场效应管MP2、一与第四P型场效应管MP1相连的第六P型场效应管MP3、一与所述第五P型场效应管MP2及所述第六P型场效应管MP3相连的第七P型场效应管MP4、一与所述第六P型场效应管MP3及第七P型场效应管MP4相连的第八P型场效应管MP5、一与所述第八P型场效应管MP5相连的第三N型场效应管MN3、一与所述第六P型场效应管MP3相连的电阻R2、一与所述电阻R2及输入地相连的第一N型场效应管MN1、一与所述第一N型场效应管MN1相连的启动电路、一与所述第一N型场效应管MN1及所述启动电路及所述第七P型场效应管MP4相连的第二N型场效应管MN2、一与所述第二N型场效应管MN2及输入地相连的电阻R1。

5.如权利要求2中所述的上电复位电路，其特征在于：所述RC延迟电路包括一与所述RC延迟电路的4B端及所述第一输入电源相连的第九P型场效应管MP6、一与所述RC延迟电路的4A端及所述第九P型场效应管MP6及所述输入地相连的第四N型场效应管MN4、一与所述第九P型场效应管MP6及所述第四N型场效应管MN4相连的电容C0。