[发明专利]一种EMMC芯片寿命检测方法有效

专利信息
申请号: 201210589306.6 申请日: 2012-12-31
公开(公告)号: CN103514958A 公开(公告)日: 2014-01-15
发明(设计)人: 罗宏选;张航志 申请(专利权)人: TCL集团股份有限公司
主分类号: G11C29/08 分类号: G11C29/08
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所 44268 代理人: 王永文;杨宏
地址: 516001 广东省惠州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种EMMC芯片寿命检测方法,所述方法包括步骤:当flash空闲存储块足够写入数据时,将数据写入EMMC芯片;上层应用程序通过对EMMC芯片写入不同大小的文件来获取底层反馈的实际写入大小,求出各种大小文件的数据缓冲率,再通过统计android系统中所有应用程序在单位时间内对EMMC存储的使用、每个应用写入文件大小及次数计算出EMMC芯片的寿命。本发明可以于检测应用对flash读写是否合理、系统中所有应用对EMMC的使用状况,同时测试不同文件系统对于文件写入的缓冲情况,提高系统的健壮性,对于EMMC芯片寿命的预测,可以在其寿命将要终止时提示用户更换芯片,防止设备读写出现问题及数据的安全。
搜索关键词: 一种 emmc 芯片 寿命 检测 方法
【主权项】:
1.一种EMMC芯片寿命检测方法,其特征在于,包括如下步骤:A、统计EMMC芯片的入口处需要写入EMMC芯片的请求总数据量;B、写入数据到EMMC芯片,判断flash空闲存储块是否足够写入数据,当flash空闲存储块足够写入数据时,将数据写入EMMC芯片;C、统计单位时间内写入EMMC芯片中flash空闲存储块小于1个块的写入次数N1、小于2个连续块的写入次数N2,直至小于n个连续块的写入次数Nn;D、统计单位时间内写入EMMC芯片中flash空闲存储块小于1个块的数据缓冲率K1、小于2个块的数据缓冲率K2,直至小于n个连续块的数据缓冲率Kn;E、根据EMMC芯片中flash的总块数m、每个flash块可被编程的次数P、所述N1 、N2、……Nn参数、数据缓冲率K1、K2……Kn参数计算出EMMC芯片的寿命为单位时间。
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