[发明专利]一种EMMC芯片寿命检测方法

权利要求书

1.一种EMMC芯片寿命检测方法，其特征在于，包括如下步骤：

A、统计EMMC芯片的入口处需要写入EMMC芯片的请求总数据量；

B、写入数据到EMMC芯片，判断flash空闲存储块是否足够写入数据，当flash空闲存储块足够写入数据时，将数据写入EMMC芯片；

C、统计单位时间内写入EMMC芯片中flash空闲存储块小于1个块的写入次数N₁、小于2个连续块的写入次数N₂，直至小于n个连续块的写入次数N_n；

D、统计单位时间内写入EMMC芯片中flash空闲存储块小于1个块的数据缓冲率K₁、小于2个块的数据缓冲率K₂，直至小于n个连续块的数据缓冲率K_n；

E、根据EMMC芯片中flash的总块数m、每个flash块可被编程的次数P、所述N₁ 、N₂、……N_n参数、数据缓冲率K₁、K₂……K_n参数计算出EMMC芯片的寿命为单                                                位时间。

2.根据权利要求1所述的一种EMMC芯片寿命检测方法，其特征在于，步骤A中具体为，对所有需要写入EMMC芯片的程序及其请求数据量进行列表存储，以统计出需要写入EMMC芯片的请求总数据量。

3.根据权利要求1所述的一种EMMC芯片寿命检测方法，其特征在于，所述步骤B中写入数据到EMMC芯片是测试程序或各应用程序根据需求写入数据到EMMC芯片。

4.根据权利要求1所述的一种EMMC芯片寿命检测方法，其特征在于，步骤C中，统计写入EMMC芯片中flash空闲存储块小于1个块的写入次数N₁、小于2个连续块的写入次数N₂，直至小于n个连续块的写入次数N_n是通过对EMMC芯片底层驱动程序监控读取EMMC驱动中的数据结构来实现的。

5.根据权利要求1所述的一种EMMC芯片寿命检测方法，其特征在于，步骤D中，所述数据缓冲率等于实际写入EMMC芯片的数据量与需要写入EMMC芯片的请求总数据量的比值，数据缓冲率K₁=写入flash空闲块小于1个块的数据量/需要写入EMMC芯片的请求总数据量，数据缓冲率K₂=写入flash空闲块小于2个块的数据量/需要写入EMMC芯片的请求总数据量，以此类推，数据缓冲率K_n=写入flash空闲块小于n个块的数据量/需要写入EMMC芯片的请求总数据量。

6.根据权利要求5所述的一种EMMC芯片寿命检测方法，其特征在于，所述实际写入EMMC芯片的数据量是通过对EMMC芯片底层驱动程序监控读取EMMC驱动中的数据结构来实现的。

7.根据权利要求1所述的一种EMMC芯片寿命检测方法，其特征在于，所述每个flash块可被编程的次数为EMMC芯片生产厂商的标定值。

8.根据权利要求1所述的一种EMMC芯片寿命检测方法，其特征在于，所述单位时间为24小时。