[发明专利]一种EMMC芯片寿命检测方法有效
申请号: | 201210589306.6 | 申请日: | 2012-12-31 |
公开(公告)号: | CN103514958A | 公开(公告)日: | 2014-01-15 |
发明(设计)人: | 罗宏选;张航志 | 申请(专利权)人: | TCL集团股份有限公司 |
主分类号: | G11C29/08 | 分类号: | G11C29/08 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所 44268 | 代理人: | 王永文;杨宏 |
地址: | 516001 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 emmc 芯片 寿命 检测 方法 | ||
技术领域
本发明涉及移动设备存储芯片,尤其涉及一种EMMC芯片寿命检测方法。
背景技术
随着智能电视和移动终端设备的飞速发展,在这些设备上存储系统数据和用户数据的芯片大都采用flash芯片实现,因此flash芯片存储对整个设备的系统安全来说是极为重要的。
在目前主流应用android系统的设备中,flash存储包括两种方案,一种是flash+专用文件系统(YAFFS,Yet Another Flash File System),另外一种是EMMC芯片(Embedded Multi Media Card)+传统文件系统。由于EMMC芯片具有接口统一,体积小,读写速度快,使用方便等优点,被越来越多用做智能电视,手机,MID等的存储芯片。EMMC芯片将控制器和flash存储封装在一块芯片中,因此,其可以直接使用传统文件系统。
现有技术EMMC芯片存储部分采用的是flash芯片,flash芯片的存储单元包括SLC(Single Level Cell单层单元)和MLC(Multi-Level Cell多层单元)两种架构的芯片,读写仍然有存储寿命限制,其寿命主要取决于对块的擦除次数。其中,SLC芯片的擦写周期有的高达100000次,而MLC芯片有的只有3000次,甚至更低的只有1000次的擦除寿命。在Android智能电视或移动终端设备的应用环境中,有时需要向EMMC芯片上保存一些数据或者更新一些数据,这样就涉及到flash芯片的擦写,频繁的擦写会缩短flash芯片的寿命进而会影响到整个设备的寿命。然而,在设备的具体使用过程中,系统应用对EMMC芯片访问的频率是多少,每次数据的存储量是多少,均无法直观看到。对于EMMC芯片的使用情况也无法得知,EMMC芯片的寿命也无法预知。系统中每个应用是独立开发的,可能会运行在各种不同的平台上,对存储的需求也是不一样的,因此对某个设备而言,存储的操作可能是复杂的。这样就有可能导致读写出现问题,进而丢失数据或造成不必要的损失。
因此,现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足之处,本发明为解决现有技术缺陷和不足,提出一种改进的方案,在EMMC驱动程序中增加测试程序的监控代码,并提供接口给测试程序操作,测试程序可通过操作接口获知EMMC芯片被访问的相关信息,确定flash芯片的使用状况,从而更加有效、安全地使用EMMC存储设备。
本发明解决技术问题所采用的技术方案如下:
一种EMMC芯片寿命检测方法,包括如下步骤:
A、统计EMMC芯片的入口处需要写入EMMC芯片的请求总数据量;
B、写入数据到EMMC芯片,判断flash空闲存储块是否足够写入数据,当flash空闲存储块足够写入数据时,将数据写入EMMC芯片;
C、统计单位时间内写入EMMC芯片中flash空闲存储块小于1个块的写入次数N1、小于2个连续块的写入次数N2,直至小于n个连续块的写入次数Nn;
D、统计单位时间内写入EMMC芯片中flash空闲存储块小于1个块的数据缓冲率K1、小于2个块的数据缓冲率K2,直至小于n个连续块的数据缓冲率Kn;
E、根据EMMC芯片中flash的总块数m、每个flash块可被编程的次数P、所述N1 、N2、……Nn参数、数据缓冲率K1、K2……Kn参数计算出EMMC芯片的寿命为 单位时间。
进一步地,步骤A中具体为,对所有需要写入EMMC芯片的程序及其请求数据量进行列表存储,以统计出需要写入EMMC芯片的请求总数据量。
所述步骤B中写入数据到EMMC芯片是测试程序或各应用程序根据需求写入数据到EMMC芯片。
步骤C中,统计写入EMMC芯片中flash空闲存储块小于1个块的写入次数N1、小于2个连续块的写入次数N2,直至小于n个连续块的写入次数Nn是通过对EMMC芯片底层驱动程序监控读取EMMC驱动中的数据结构来实现的。
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