[发明专利]内埋式电子元件封装结构有效
申请号: | 201210586713.1 | 申请日: | 2012-12-28 |
公开(公告)号: | CN103904062A | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
发明(设计)人: | 卓瑜甄;郑伟鸣 | 申请(专利权)人: | 欣兴电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/552 | 分类号: | H01L23/552;H01L23/498;H01L23/12 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁 |
地址: | 中国台湾桃园县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明是有关一种内埋式电子元件封装结构,其包括核心层、介电层、电子元件、第一介电层、第二介电层、屏蔽金属层以及多个导通孔。核心层包括第一表面、相对第一表面的第二表面及贯穿核心层的容置槽。电子元件位于容置槽内。容置槽包括内表面,面向电子元件。第一介电层设置于第一表面上,并填入部份容置槽中且覆盖电子元件的一侧。第二介电层设置于第二表面上,并填入剩下的容置槽中且覆盖电子元件的另一侧并与第一介电层相接合。第一及第二介电层包覆电子元件。屏蔽金属层至少包覆核心层的内表面。导通孔分别配置于第一介电层及第二介电层内,并分别由第一及第二介电层的外表面延伸至屏蔽金属层。 | ||
搜索关键词: | 内埋式 电子元件 封装 结构 | ||
【主权项】:
一种内埋式电子元件封装结构,其特征在于包括:核心层,包括第一表面、相对该第一表面的第二表面及容置槽,该容置槽贯穿该核心层;电子元件,设置于该容置槽内,该容置槽包括内表面,面向该电子元件;第一介电层,设置于该核心层的该第一表面上,并填入部分该容置槽中,且覆盖该电子元件的一侧;第二介电层,设置于该核心层的该第二表面上,并填入剩下的该容置槽中,且覆盖该电子元件的另一侧,并与该第一介电层相接合,其中,第一介电层及第二介电层完整包覆该电子元件;屏蔽金属层,至少包覆该核心层的该内表面;以及多个第一导通孔,分别配置于该第一介电层以及该第二介电层内,并分别由该第一介电层以及该第二介电层的外表面延伸至该屏蔽金属层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欣兴电子股份有限公司,未经欣兴电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210586713.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:展位接驳箱
- 下一篇:一种U波段高功率皮秒脉冲激光产生方法