[发明专利]内埋式电子元件封装结构有效
申请号: | 201210586713.1 | 申请日: | 2012-12-28 |
公开(公告)号: | CN103904062A | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
发明(设计)人: | 卓瑜甄;郑伟鸣 | 申请(专利权)人: | 欣兴电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/552 | 分类号: | H01L23/552;H01L23/498;H01L23/12 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁 |
地址: | 中国台湾桃园县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 内埋式 电子元件 封装 结构 | ||
1.一种内埋式电子元件封装结构,其特征在于包括:
核心层,包括第一表面、相对该第一表面的第二表面及容置槽,该容置槽贯穿该核心层;
电子元件,设置于该容置槽内,该容置槽包括内表面,面向该电子元件;
第一介电层,设置于该核心层的该第一表面上,并填入部分该容置槽中,且覆盖该电子元件的一侧;
第二介电层,设置于该核心层的该第二表面上,并填入剩下的该容置槽中,且覆盖该电子元件的另一侧,并与该第一介电层相接合,其中,第一介电层及第二介电层完整包覆该电子元件;
屏蔽金属层,至少包覆该核心层的该内表面;以及
多个第一导通孔,分别配置于该第一介电层以及该第二介电层内,并分别由该第一介电层以及该第二介电层的外表面延伸至该屏蔽金属层。
2.如权利要求1所述的内埋式电子元件封装结构,其特征在于该屏蔽金属层由该内表面分别延伸覆盖部份的该第一表面及该第二表面,上述第一导通孔分别由该第一介电层以及该第二介电层的外表面延伸至位于该第一表面及该第二表面上的该屏蔽金属层。
3.如权利要求1所述的内埋式电子元件封装结构,其特征在于更包括多个导电材,分别填充于上述第一导通孔内。
4.如权利要求1所述的内埋式电子元件封装结构,其特征在于其中上述第一导通孔包括激光盲孔。
5.如权利要求1所述的内埋式电子元件封装结构,其特征在于更包括多个第二导通孔,该电子元件更包括多个接垫,面对该第二介电层设置,上述第二导通孔由该第二介电层延伸至上述接垫。
6.如权利要求5所述的内埋式电子元件封装结构,其特征在于更包括多个导电材,分别填充于上述第二导通孔内。
7.如权利要求5所述的内埋式电子元件封装结构,其特征在于其中上述第二导通孔包括激光盲孔。
8.如权利要求5所述的内埋式电子元件封装结构,其特征在于更包括粘着层,填充于上述接垫之间。
9.如权利要求5所述的内埋式电子元件封装结构,其特征在于其中该电子元件包括半导体芯片。
10.如权利要求5所述的内埋式电子元件封装结构,其特征在于其中该介电层的材质包括半固化树脂。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欣兴电子股份有限公司,未经欣兴电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210586713.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:展位接驳箱
- 下一篇:一种U波段高功率皮秒脉冲激光产生方法