[发明专利]一种大尺寸磁控溅射镀膜的简易强化方法无效

专利信息
申请号: 201210574569.X 申请日: 2012-12-26
公开(公告)号: CN103014645A 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 朱嘉琦;雷沛;曹文鑫;韩杰才 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 王艳萍
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 一种大尺寸磁控溅射镀膜的简易强化方法,它涉及大尺寸磁控溅射镀膜的简易强化方法,本发明要解决现有的离子或电子辅助磁控溅射沉积薄膜方法,针对大尺寸衬底材料会存在很难制备出厚度均匀、附着力强的薄膜材料的问题。本发明中一种大尺寸磁控溅射镀膜的简易强化方法按以下步骤进行:一、衬底材料的清洗及加热;二、衬底材料表面反溅清洗;三、向旋转加热台施加负电压条件下镀膜;四、镀膜完成后抽真空;五、关闭电源,降温至室温,完成薄膜的制备。本发明方法适用于薄膜工程领域。
搜索关键词: 一种 尺寸 磁控溅射 镀膜 简易 强化 方法
【主权项】:
一种大尺寸磁控溅射镀膜的简易强化方法,其特征在于它是通过以下步骤实现的:一、将衬底材料用丙酮超声波清洗15min~30min,再用无水乙醇清洗15min~30min,最后用去离子水清洗25min~30min后烘干,然后将衬底材料置于磁控溅射真空仓内的旋转加热台上;通过真空泵将真空仓内抽成真空,当真空仓内压强达到1.0×10‑4Pa~9.9×10‑4Pa时,启动加热装置,将加热台加热至25℃~1000℃,并且保温30min~120min,其中旋转加热台的材质为不锈钢,衬底材料为金属、陶瓷或半导体;二、向真空仓内通入Ar气,当仓内压强为3Pa~5Pa时,向旋转加热台施加500V~800V的负电压,对衬底表面进行反溅清洗10min~20min;三、反溅清洗完毕后,向靶材施加射频电源启辉,射频功率为60W~500W,预溅射20min~50min,开始镀膜,镀膜时真空仓内气体压强为0.1Pa~2Pa,镀膜时间为10min~90min,然后拉上挡板,接着向真空仓内通入O2,使用流量计将O2流量控制在4sccm~100sccm,预溅射10min~30min后,调整真空仓内气体压强为0.1Pa~2Pa,向旋转加热台施加100V~400V的负电压,然后移开挡板,继续向衬底表面镀膜,镀膜1h~3h;四、镀膜完成后,依次按要求关闭射频电源和负压电源,关闭Ar气阀门,质量流量器的电源,O2气路阀门,打开插板阀将真空仓内气体压强抽至1.0×10‑4Pa~5.0×10‑4Pa;五、关闭剩余的所有电源,待真空仓内温度降至20℃~25℃时即制得本发明所述的高密度、低缺陷薄膜。
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