[发明专利]一种大尺寸磁控溅射镀膜的简易强化方法

权利要求书

1.一种大尺寸磁控溅射镀膜的简易强化方法，其特征在于它是通过以下步骤实现的：

一、将衬底材料用丙酮超声波清洗15min~30min，再用无水乙醇清洗15min~30min，最后用去离子水清洗25min~30min后烘干，然后将衬底材料置于磁控溅射真空仓内的旋转加热台上；通过真空泵将真空仓内抽成真空，当真空仓内压强达到1.0×10^-4Pa~9.9×10^-4Pa时，启动加热装置，将加热台加热至25℃~1000℃，并且保温30min~120min，其中旋转加热台的材质为不锈钢，衬底材料为金属、陶瓷或半导体；

二、向真空仓内通入Ar气，当仓内压强为3Pa~5Pa时，向旋转加热台施加500V~800V的负电压，对衬底表面进行反溅清洗10min~20min；

三、反溅清洗完毕后，向靶材施加射频电源启辉，射频功率为60W~500W，预溅射20min~50min，开始镀膜，镀膜时真空仓内气体压强为0.1Pa~2Pa，镀膜时间为10min~90min，然后拉上挡板，接着向真空仓内通入O₂，使用流量计将O₂流量控制在4sccm~100sccm，预溅射10min~30min后，调整真空仓内气体压强为0.1Pa~2Pa，向旋转加热台施加100V~400V的负电压，然后移开挡板，继续向衬底表面镀膜，镀膜1h~3h；

四、镀膜完成后，依次按要求关闭射频电源和负压电源，关闭Ar气阀门，质量流量器的电源，O₂气路阀门，打开插板阀将真空仓内气体压强抽至1.0×10^-4Pa~5.0×10^-4Pa；

五、关闭剩余的所有电源，待真空仓内温度降至20℃~25℃时即制得本发明所述的高密度、低缺陷薄膜。

2.如权利要求1所述的一种大尺寸磁控溅射镀膜的简易强化方法，其特征在于步骤一中将衬底材料用丙酮超声波清洗20min~25min，再用无水乙醇清洗20min~25min，最后用去离子水清洗26min~28min后烘干。

3.如权利要求1所述的一种大尺寸磁控溅射镀膜的简易强化方法，其特征在于步骤一中将衬底材料用丙酮超声波清洗24min，再用无水乙醇清洗24min，最后用去离子水清洗27min后烘干。

4.如权利要求1至3中任一项所述的一种大尺寸磁控溅射镀膜的简易强化方法，其特征在于步骤一中当真空仓内压强达到2.0×10^-4Pa~8.0×10^-4Pa时，启动加热装置，将加热台加热至100℃~800℃，并且保温45min~90min。

5.如权利要求1至3中任一项所述的一种大尺寸磁控溅射镀膜的简易强化方法，其特征在于步骤一中当真空仓内压强达到5.0×10^-4Pa时，启动加热装置，将加热台加热至300℃，并且保温60min。

6.如权利要求4所述的一种大尺寸磁控溅射镀膜的简易强化方法，其特征在于步骤二中当仓内压强为3.5Pa~4.5Pa时，向旋转加热台施加600V~700V的负电压，对衬底表面进行反溅清洗12min~18min。

7.如权利要求4所述的一种大尺寸磁控溅射镀膜的简易强化方法，其特征在于步骤二中当仓内压强为4Pa时，向旋转加热台施加650V的负电压，对衬底表面进行反溅清洗15min。

8.如权利要求6所述的一种大尺寸磁控溅射镀膜的简易强化方法，其特征在于步骤三中射频功率为100W~400W，预溅射30min~40min，开始镀膜，镀膜时真空仓内气体压强为1Pa~1.6Pa，镀膜时间为30min~70min。

9.如权利要求6所述的一种大尺寸磁控溅射镀膜的简易强化方法，其特征在于步骤三中射频功率为200W，预溅射35min，开始镀膜，镀膜时真空仓内气体压强为1.2Pa，镀膜时间为50min。

10.如权利要求8所述的一种大尺寸磁控溅射镀膜的简易强化方法，其特征在于步骤三中使用流量计将O₂流量控制在10sccm~90sccm，预溅射15min~25min后，调整真空仓内气体压强为1Pa~1.6Pa，向旋转加热台施加150V~300V的负电压。