[发明专利]肖特基垫垒二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 201210570518.X | 申请日： | 2012-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN103681883A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 李钟锡;洪坰国 | 申请（专利权）人： | 现代自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及肖特基垫垒二极管及其制造方法。一种肖特基势垒二极管，可以包括配置在n+型碳化硅衬底的第一表面上的第一n-型外延层，配置在第一n-型外延层中的第一p+区，配置在第一n-型外延层和第一p+区上的第二n型外延层，配置在第二n型外延层中的第二p+区，配置在第二n型外延层和第二p+区上的肖特基电极，以及配置在n+型碳化硅衬底的第二表面上的欧姆电极，其中第一p+区和第二p+区可以彼此接触。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基垫垒 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基势垒二极管，包括：n‑型外延层，所述n‑型外延层配置在n+型碳化硅衬底的第一表面上；第一p+区，所述第一p+区配置在所述n‑型外延层中；n型外延层，所述n型外延层配置在所述n‑型外延层和所述第一p+区上；第二p+区，所述第二p+区配置在所述n型外延层中；肖特基电极，所述肖特基电极配置在所述n型外延层和所述第二p+区上；以及欧姆电极，所述欧姆电极配置在所述n+型碳化硅衬底的第二表面上，其中，所述第一p+区和所述第二p+区彼此接触。
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