[发明专利]肖特基垫垒二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 201210570518.X | 申请日： | 2012-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN103681883A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 李钟锡;洪坰国 | 申请（专利权）人： | 现代自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 肖特基垫垒 二极管 及其 制造 方法 | ||
1.一种肖特基势垒二极管，包括：
n-型外延层，所述n-型外延层配置在n+型碳化硅衬底的第一表面上；
第一p+区，所述第一p+区配置在所述n-型外延层中；
n型外延层，所述n型外延层配置在所述n-型外延层和所述第一p+区上；
第二p+区，所述第二p+区配置在所述n型外延层中；
肖特基电极，所述肖特基电极配置在所述n型外延层和所述第二p+区上；以及
欧姆电极，所述欧姆电极配置在所述n+型碳化硅衬底的第二表面上，
其中，所述第一p+区和所述第二p+区彼此接触。
2.根据权利要求1所述的肖特基势垒二极管，其中所述第一p+区在所述n-型外延层的表面上形成为晶格形状。
3.根据权利要求2所述的肖特基势垒二极管，其中所述第二p+区包围所述n型外延层的边缘形成为四边形形状。
4.一种肖特基势垒二极管的制造方法，包括：
在n+型碳化硅衬底的第一表面上形成n-型外延层；
注入p+离子进入所述n-型外延层的表面以形成第一p+区；
在所述n-型外延层和所述第一p+区上形成n型外延层；
注入n+离子进入所述n型外延层的表面以形成第二p+区；
在所述n型外延层和所述第二p+区上形成肖特基电极；以及
在所述n+型碳化硅衬底的第二表面上形成欧姆电极，
其中所述第一p+区和所述第二p+区彼此接触。
5.根据权利要求4所述的肖特基势垒二极管的制造方法，其中所述第一p+区在所述n-型外延层的表面上形成为晶格形状。
6.根据权利要求5所述的肖特基势垒二极管的制造方法，其中所述第二p+区包围n型外延层的边缘形成为四边形形状。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于现代自动车株式会社，未经现代自动车株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210570518.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电子设备
- 下一篇：通过排气背压的催化剂加热
- 同类专利
- 专利分类
